公开(公告)号：EP2469713A2

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：EP12160348.4

申请日：2008-03-31

申请人： Qualcomm Incorporated

发明人： Chua-Eoan, Lew G. ,  Norwak, Matthew Michael ,  Kang, Seung H.

IPC分类号： H03K19/177 ,  G11C11/16

CPC分类号： H03K19/17748 ,  G11C11/161 ,  G11C11/165 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1778

摘要： Systems, circuits and methods for software programmable logic using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) technology are disclosed. Magnetic tunnel junction (MTJ) storage elements can be formed into input planes and output planes. The input planes and output planes can be coupled together to form complex arrays that allow for the realization of logic functions.

摘要翻译： 公开了使用旋转转矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术的软件可编程逻辑的系统，电路和方法。 磁隧道结（MTJ）存储元件可以形成输入平面和输出平面。 输入平面和输出平面可以耦合在一起，形成允许实现逻辑功能的复杂阵列。

公开(公告)号：EP2469713B1

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：EP12160348.4

申请日：2008-03-31

申请人： Qualcomm Incorporated

发明人： Chua-Eoan, Lew G. ,  Norwak, Matthew Michael ,  Kang, Seung H.

IPC分类号： H03K19/177 ,  G11C11/16

CPC分类号： H03K19/17748 ,  G11C11/161 ,  G11C11/165 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1778

公开(公告)号：EP2469713A3

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：EP12160348.4

申请日：2008-03-31

申请人： Qualcomm Incorporated

发明人： Chua-Eoan, Lew G. ,  Norwak, Matthew Michael ,  Kang, Seung H.

IPC分类号： H03K19/177 ,  G11C11/16

CPC分类号： H03K19/17748 ,  G11C11/161 ,  G11C11/165 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1778

摘要： Systems, circuits and methods for software programmable logic using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) technology are disclosed. Magnetic tunnel junction (MTJ) storage elements can be formed into input planes and output planes. The input planes and output planes can be coupled together to form complex arrays that allow for the realization of logic functions.