公开(公告)号：EP0809279A3

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：EP97114782

申请日：1992-08-19

申请人： SIEMENS AG

发明人： KLOSE HELMUT DR ,  MEUL HANS-WILLI DR ,  MEISTER THOMAS DR ,  STENGL REINHARD DR

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66651 ,  Y10S148/011

摘要： Auf einem Substrat (21) aus einkristallinem Halbleitermaterial wird eine erste Schicht (23) aus SiO
2 und eine zweite Schicht (24) aus polykristallinem Silizium erzeugt. Die erste Schicht (23) und die zweite Schicht (24) werden so strukturiert, daß eine Unterätzung (29) der ersten Schicht (23) unter die zweite Schicht (24) entsteht, in der die Oberfläche des Substrats (21) freigelegt wird. Mittels selektiver Epitaxie wird auf der freiliegenden Oberfläche des Substrats (21) ein einkristallines Gebiet (210) erzeugt, das als Kanalgebiet für einen MOS-Transistor verwendet wird.