公开(公告)号：EP1363324A1

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：EP02425311.4

申请日：2002-05-16

申请人： STMicroelectronics S.r.l.

发明人： Pividori, Luca ,  Calareso, Carmen

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11536

摘要： A method of manufacturing non-volatile memory devices, comprises the following steps:

depositing a first layer (3) onto a semiconductor substrate;
defining and selectively removing said first layer (4) to form a portion (5) of said first layer (4);
depositing a second layer (7) to a first thickness over the entire memory device;
forming a screening layer (8) on the second layer (7) to leave uncovered at least a portion (10) of the second layer (7) aligned to the portion (5) of the first layer (3); and
partly removing the portion (10) of the second layer (7) such that the thickness of the portion (10) of the second layer (7) is made smaller than the first thickness.

摘要翻译： 制造非易失性存储器件的方法包括以下步骤：将第一层（3）沉积到半导体衬底上; 限定和选择性地去除所述第一层（4）以形成所述第一层（4）的部分（5）; 在整个存储器件上沉积第二层（7）至第一厚度; 在所述第二层（7）上形成屏蔽层（8），以使未覆盖的所述第二层（7）的至少一部分（10）与所述第一层（3）的所述部分（5）对准。 并且部分地去除第二层（7）的部分（10），使得第二层（7）的部分（10）的厚度小于第一厚度。