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1.发明公开Complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same 有权Bauelement mitkomplementäremMetalloxid-Halbleiter und Verfahren zur Herstellung davon
公开(公告)号：EP2846353A3
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：EP14183431.7
申请日：2014-09-03
发明人： Yang, Moon-seung , Uddin, Mohammad Rakib , Le, Myoung-jae , Lee, Sang-moon , Lee, Sung-hun , Cho, Seong-ho
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/092
摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.
摘要翻译： 提供了互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，在硅衬底上设置缓冲层，并且在缓冲层上设置包括III-V族材料的第一层。 包含IV族材料的第二层在与第一层间隔开的同时设置在缓冲层或硅衬底上。
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2.发明授权
公开(公告)号：EP2846353B1
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：EP14183431.7
申请日：2014-09-03
发明人： Yang, Moon-seung , Uddin, Mohammad Rakib , Le, Myoung-jae , Lee, Sang-moon , Lee, Sung-hun , Cho, Seong-ho
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/092
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3.发明公开Complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same 有权互补金属氧化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：EP2846353A2
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：EP14183431.7
申请日：2014-09-03
发明人： Yang, Moon-seung , Uddin, Mohammad Rakib , Le, Myoung-jae , Lee, Sang-moon , Lee, Sung-hun , Cho, Seong-ho
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/06
CPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/092
摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.
摘要翻译： 提供了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，缓冲层设置在硅衬底上，并且包括III-V族材料的第一层设置在缓冲层上。 包括IV族材料的第二层设置在缓冲层或硅衬底上，同时与第一层间隔开。
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