公开(公告)号：EP2372751A1

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：EP11160698.4

申请日：2011-03-31

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd. ,  Dongguk University Industry-Academic Cooperation Foundation

发明人： Park, Gyeong-su ,  Song, In-yong ,  Heo, Sung ,  Kwak, Dong-wook ,  Cho, Hoon-young ,  KIM, Han-su ,  Choi, Jae-man ,  Kwon, Moon-seok

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/12 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/775

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775

摘要： A silicon nanowire includes metal nanoclusters formed on a surface thereof at a high density. The metal nanoclusters improve electrical and optical characteristics of the silicon nanowire, and thus can be usefully used in various electrical devices such as a lithium battery, a solar cell, a bio sensor, a memory device, or the like.

摘要翻译： 硅纳米线包括在其表面上以高密度形成的金属纳米团簇。 金属纳米团簇改善了硅纳米线的电气和光学特性，因此可以有用地用于诸如锂电池，太阳能电池，生物传感器，存储器件等的各种电气设备中。