专利检索 ap:("SanDisk Technologies LLC") AND inv:"OU, Wendy" 第 1 页

1.

发明授权
PROGRAM AND READ OPERATIONS FOR 3D NON-VOLATILE MEMORY BASED ON MEMORY HOLE DIAMETER 有权
标题翻译：基于存储器孔径的三维非易失性存储器的编程和读操作

公开(公告)号：EP3005371B1

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：EP14735032.6

申请日：2014-06-04

申请人： SanDisk Technologies LLC

发明人： DONG, Yingda , OU, Wendy , MUI, Man L , HIGASHITANI, Masaaki

IPC分类号： G11C16/04 , G11C11/56 , G11C16/10 , G11C16/34 , G11C11/34

CPC分类号： G11C16/107 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427 , H01L27/1157 , H01L27/11582

2.

发明授权
PRE-CHARGE DURING PROGRAMMIMG FOR 3D MEMORY USING GATE- INDUCED DRAIN LEAKAGE 有权
标题翻译：预充电与栅极感应流量泄漏的三维存储器编程期间

公开(公告)号：EP2912666B1

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：EP13783805.8

申请日：2013-10-21

申请人： SanDisk Technologies LLC

发明人： DUNGA, Mohan , DONG, Yingda , OU, Wendy

IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/12 , G11C16/34

CPC分类号： G11C16/12 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3427 , G11C2213/71