公开(公告)号：EP1411545A1

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：EP02741213.9

申请日：2002-06-20

申请人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd

发明人： KASHINO, Hisashi c/o Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/52

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  Y10S438/90 ,  Y10S438/908 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/913

摘要： A vapor phase growth method for growing a semiconductor single crystal thin film on a front surface of a semiconductor single crystal substrate (1) while introducing gas into a reaction chamber (11), has a step of performing heating output power control in a gas introduction region (R1) according to a temperature detected in a region other than the gas introduction region (R1) in the reaction chamber (11).

摘要翻译： 一种蒸气生长方法，用于在半导体单晶衬底（1）的主表面上蒸发生长半导体单晶薄膜，同时将气体引入到反应容器（11）中，其特征在于，引入的气体中的加热输出控制 区域（R1）基于在反应容器（11）中的区域（R1）以外的区域中检测到的温度进行。

公开(公告)号：EP1411545B1

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：EP02741213.9

申请日：2002-06-20

申请人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.

发明人： KASHINO, Hisashi c/o Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  Y10S438/90 ,  Y10S438/908 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/913