公开(公告)号：EP3172732B1

公开(公告)日：2019-02-20

申请号：EP15731202.6

申请日：2015-06-10

Applicant: Silicon Storage Technology Inc.

Inventor： QIAN, Xiaozhou ,  ZHOU, Yao ,  SHENG, Bin ,  PENG, Jiaxu ,  ZHU, Yaohua

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C29/02 ,  G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  G11C16/34 ,  G11C29/12

公开(公告)号：EP3172732A1

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：EP15731202.6

申请日：2015-06-10

Applicant: Silicon Storage Technology Inc.

Inventor： QIAN, Xiaozhou ,  ZHOU, Yao ,  SHENG, Bin ,  PENG, Jiaxu ,  ZHU, Yaohua

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  G11C29/02

CPC classification number: G11C16/24 ,  G11C5/145 ,  G11C5/147 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/12 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/28 ,  G11C2029/1204

Abstract: A bitline regulator for use in a high speed flash memory system is disclosed. The bitline regulator is responsive to a set of trim bits that are generated by comparing the bias voltage of a bitline to a reference voltage.

Abstract translation: 公开了一种用于高速闪存系统的位线调节器。 位线调节器响应于通过比较位线的偏置电压与参考电压而产生的一组调整位。