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发明授权
Process for locally dissolving the oxide layer in a semiconductor-on-insulator type structure 有权
标题翻译：一种用于氧气的在层中局部释放的半导体上绝缘体结构组成过程

公开(公告)号：EP2329523B1

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：EP09815672.2

申请日：2009-09-21

申请人： Soitec

发明人： VEYTIZOU, Christelle , GRITTI, Fabrice , GUIOT, Eric , KONONCHUK, Oleg , LANDRU, Didier

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L2224/05124 , H01L2924/00014