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1.

发明公开
GROUP III-NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE ON SILICON-ON-INSULATOR AND METHOD OF GROWING THEREOF 审中-公开

公开(公告)号：EP4449482A1

公开(公告)日：2024-10-23

申请号：EP22817285.4

申请日：2022-11-16

申请人： SOITEC , Soitec Belgium

发明人： VEYTIZOU, Christelle , RADU, Ionut , DERLUYN, Joff , DEGROOTE, Stefan

IPC分类号： H01L21/322 , H01L29/10 , H01L21/762 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/20 , H01L29/51 , H01L21/20

2.

发明公开
SUBSTRAT DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS RADIOFRÉQUENCES 审中-公开

公开(公告)号：EP3900029A1

公开(公告)日：2021-10-27

申请号：EP19848883.5

申请日：2019-12-19

申请人： SOITEC

发明人： YOUNG PIL, Kim , VEYTIZOU, Christelle

IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/322

3.

发明公开
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHE 审中-公开

公开(公告)号：EP4324020A1

公开(公告)日：2024-02-21

申请号：EP22722302.1

申请日：2022-04-12

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , SOITEC

发明人： ROUMANIE, Marilyne , NAVONE, Christelle , QUENARD, Sébastien , LANDRU, Didier , VEYTIZOU, Christelle

IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/02 , H01L21/20

4.

发明公开
SUBSTRAT POUR UN DISPOSITIF INTEGRE RADIOAFREQUENCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开

公开(公告)号：EP3818561A1

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：EP18762567.8

申请日：2018-07-05

申请人： SOITEC

发明人： VEYTIZOU, Christelle , REYNAUD, Patrick , KONONCHUK, Oleg , ALLIBERT, Frédéric

IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/322

5.

发明授权
Process for locally dissolving the oxide layer in a semiconductor-on-insulator type structure 有权
标题翻译：一种用于氧气的在层中局部释放的半导体上绝缘体结构组成过程

公开(公告)号：EP2329523B1

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：EP09815672.2

申请日：2009-09-21

申请人： Soitec

发明人： VEYTIZOU, Christelle , GRITTI, Fabrice , GUIOT, Eric , KONONCHUK, Oleg , LANDRU, Didier

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L2224/05124 , H01L2924/00014

6.

发明公开
STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT UNE COUCHE POREUSE ENTERREE, POUR APPLICATIONS RF 审中-公开

公开(公告)号：EP3994722A1

公开(公告)日：2022-05-11

申请号：EP20712591.5

申请日：2020-03-25

申请人： SOITEC , Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： AUGENDRE, Emmanuel , GAILLARD, Frédéric , LORNE, Thomas , ROLLAND, Emmanuel , VEYTIZOU, Christelle , BERTRAND, Isabelle , ALLIBERT, Frédéric

IPC分类号： H01L21/762

7.

发明公开
STRUCTURE HYBRIDE POUR DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE 审中-公开

公开(公告)号：EP3776677A1

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：EP19715974.2

申请日：2019-03-13

申请人： SOITEC

发明人： ALLIBERT, Frédéric , VEYTIZOU, Christelle

IPC分类号： H01L41/43 , H01L41/08 , H01L41/319 , H03H3/007 , H03H9/72

8.

发明公开
SUBSTRAT POUR APPLICATIONS RADIOFREQUENCES ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE 审中-公开

公开(公告)号：EP3776640A1

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：EP19715973.4

申请日：2019-03-13

申请人： SOITEC

发明人： ALLIBERT, Frédéric , VEYTIZOU, Christelle , RADISSON, Damien

IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/02 , H01L21/762

9.

发明公开
METHOD FOR FORMING A HIGH RESISTIVITY HANDLE SUPPORT FOR A COMPOSITE SUBSTRATE 审中-公开

公开(公告)号：EP4070368A1

公开(公告)日：2022-10-12

申请号：EP20810977.7

申请日：2020-11-25

申请人： SOITEC

发明人： KIM, Youngpil , BERTRAND, Isabelle , VEYTIZOU, Christelle

IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/322

10.

发明公开
STRUCTURE HYBRIDE POUR DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE 审中-公开

公开(公告)号：EP4012790A1

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：EP21217508.7

申请日：2019-03-13

申请人： SOITEC

发明人： ALLIBERT, Frédéric , VEYTIZOU, Christelle

IPC分类号： H01L41/43 , H01L41/08 , H01L41/319 , H03H3/007 , H03H9/72

摘要： L'invention concerne une structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile (1) de matériau piézoélectrique assemblée à un substrat support (2) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (1), et une couche intermédiaire (3) située entre la couche utile (1) et le substrat support (2). La couche intermédiaire est une couche composite frittée (3), formée à partir de poudres d'au moins un premier matériau et un deuxième matériau différent du premier.