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公开(公告)号：EP4430652A1
公开(公告)日：2024-09-18
申请号：EP22802685.2
申请日：2022-10-25
申请人： SOITEC , Applied Materials Inc;
发明人： KIM, Youngpil , KONONCHUK, Oleg , WONG, Chee Hoe , KUAN CHIEN, Shen , SENG HOE, Tan , KEYAN, Zang , MASATO, Ishii
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/7624 , H01L21/02002 , H01L21/76251
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公开(公告)号：EP3497713A1
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：EP17757806.9
申请日：2017-08-01
发明人： LANDRU, Didier , BEN MOHAMED, Nadia , KONONCHUK, Oleg , MAZEN, Frédéric , MASSY, Damien , REBOH, Shay , RIEUTORD, François
IPC分类号： H01L21/762
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公开(公告)号：EP3227905A1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：EP15788467.7
申请日：2015-09-17
申请人： Soitec
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H04B1/03 , H01L21/02167 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/28282 , H01L21/76254 , H01L21/76297 , H01L41/0477 , H01M4/663
摘要： The invention relates to a structure (1) for radiofrequency applications which includes: a semiconducting supporting substrate (2); a trapping layer (3) arranged on the supporting substrate (2); the trapping layer (3) being characterised in that it includes a higher defect density than a predetermined defect density; the predetermined defect density is the defect density beyond which the electric resistivity of the trapping layer (3) is no lower than 10 Kohm.cm over a temperature range of [-20 °C; +120 °C].
摘要翻译： 本发明涉及用于射频应用的结构（1），其包括：半导体支撑衬底（2）; 设置在所述支撑基板（2）上的捕获层（3）; 所述俘获层（3）的特征在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度; 预定的缺陷密度是在[-20℃的温度范围内俘获层（3）的电阻率不低于10Kohm.cm的缺陷密度; +120°C]。
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公开(公告)号：EP3939077A1
公开(公告)日：2022-01-19
申请号：EP20713947.8
申请日：2020-02-26
申请人： SOITEC
IPC分类号： H01L21/762
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公开(公告)号：EP3872839A1
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：EP21170134.7
申请日：2015-09-17
申请人： SOITEC
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
摘要： Structure (1) pour des applications radiofréquences comprenant :
• un substrat support (2) semi-conducteur ;
• une couche de piégeage (3) disposée sur le substrat support (2) ;
la couche de piégeage (3) étant caractérisée en ce qu'elle comprend une densité de défauts supérieure à une densité de défauts prédéterminée ; la densité de défauts prédéterminée est la densité de défauts au-delà de laquelle la résistivité électrique de la couche de piégeage (3) est supérieure ou égale à 10kohm.cm sur une gamme de température [-20°C ; +120°C].-
公开(公告)号：EP3497713B1
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：EP17757806.9
申请日：2017-08-01
发明人： LANDRU, Didier , BEN MOHAMED, Nadia , KONONCHUK, Oleg , MAZEN, Frédéric , MASSY, Damien , REBOH, Shay , RIEUTORD, François
IPC分类号： H01L21/762
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7.发明公开
公开(公告)号：EP3602617A1
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：EP18711364.2
申请日：2018-03-21
申请人： Soitec
IPC分类号： H01L21/762 , C30B25/02 , H01L21/02
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公开(公告)号：EP3193355B1
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：EP17150008.5
申请日：2017-01-02
申请人： Soitec
发明人： LANDRU, Didier , KONONCHUK, Oleg , DAVID, Carole
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/762
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公开(公告)号：EP3319113B1
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：EP17198392.7
申请日：2017-10-25
申请人： Soitec
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/762
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10.发明公开
公开(公告)号：EP3394908A1
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：EP16820264.6
申请日：2016-12-21
申请人： Soitec
发明人： BROEKAART, Marcel , BARGE, Thierry , GUENARD, Pascal , RADU, Ionut , DESBONNETS, Eric , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC分类号： H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/02102 , H03H9/02574 , H03H9/02834
摘要： The invention relates to a substrate (1) for a surface acoustic wave device or a volume acoustic wave device, comprising a support substrate (11) and a piezoelectric layer (10) on said support substrate, characterised in that the support substrate (11) comprises a semiconductor layer (111) on a stiffening substrate (110) having a coefficient of thermal expansion that is closer to the coefficient of thermal expansion of the material of the piezoelectric layer (10) than to that of silicon, the semiconductor layer (111) being arranged between the piezoelectric layer (10) and stiffening substrate (110).
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