公开(公告)号：EP0813240B1

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：EP97109305.9

申请日：1997-06-09

申请人： Texas Instruments Incorporated

发明人： Nag, Somnath S. ,  Chatterjee, Amitava ,  Chen, Ih-Chin

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  Y10S148/05

公开(公告)号：EP0813240A1

公开(公告)日：1997-12-17

申请号：EP97109305.9

申请日：1997-06-09

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

发明人： Nag, Somnath S. ,  Chatterjee, Amitava ,  Chen, Ih-Chin

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  Y10S148/05

摘要： A trench isolation structure including high density plasma enhanced silicon dioxide trench filling (122) with chemical mechanical polishing removal of non-trench oxide.

摘要翻译： 一种沟槽隔离结构，包括高密度等离子体增强二氧化硅沟槽填充（122），化学机械抛光去除非沟槽氧化物。

公开(公告)号：EP2287901A3

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：EP10186092.2

申请日：1997-06-09

申请人： Texas Instruments Incorporated

发明人： Nag, Somnath S. ,  Chatterjee, Amitava ,  Chen, Ih-Chin

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  Y10S148/05

摘要： A trench isolation structure including growing a layer of thermal oxide (114) on the silicon exposed in the trenches (110) prior to depositing the layer of insulating material, wherein the layer of thermal oxide (114) forms a lining on the trench. Depositing the layer of insulating material (120) comprises depositing a silicon oxide with an inductively-coupled high density plasma, wherein the plasma bias of the high density plasma is ramped from a low bias to a high bias

公开(公告)号：EP2287901A2

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：EP10186092.2

申请日：1997-06-09

申请人： Texas Instruments Incorporated

发明人： Nag, Somnath S. ,  Chatterjee, Amitava ,  Chen, Ih-Chin

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  Y10S148/05

摘要： A trench isolation structure including growing a layer of thermal oxide (114) on the silicon exposed in the trenches (110) prior to depositing the layer of insulating material, wherein the layer of thermal oxide (114) forms a lining on the trench. Depositing the layer of insulating material (120) comprises depositing a silicon oxide with an inductively-coupled high density plasma, wherein the plasma bias of the high density plasma is ramped from a low bias to a high bias

摘要翻译： 一种沟槽隔离结构，包括在沉积绝缘材料层之前，在暴露在沟槽（110）中的硅上生长一层热氧化物（114），其中该热氧化层（114）在该沟槽上形成衬里。 沉积绝缘材料层（120）包括用感应耦合的高密度等离子体沉积氧化硅，其中高密度等离子体的等离子体偏压从低偏压斜升到高偏压

公开(公告)号：EP0766291A1

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：EP96112441.9

申请日：1996-08-01

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

发明人： Nag, Somnath S. ,  Krishnan, Srikanth ,  Dixit, Girish A.

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  C23C16/50

CPC分类号： H01L21/02129 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31625

摘要： A two-stage plasma enhance dielectric deposition with a first stage of low capacitively-coupled RF bias with conformal deposition (202) followed by high capacitively-coupled RF bias for planarizing deposition (204) limits the charge build up on the underlying structure (104, 106, 108).

摘要翻译： 两阶段等离子体增强具有第一级低电容耦合RF偏压的电介质沉积，其具有适形沉积（202），随后是用于平坦化沉积的高电容耦合RF偏压（204），限制了在底层结构上的电荷（104 ，106,108）。