公开(公告)号：EP0461967A2

公开(公告)日：1991-12-18

申请号：EP91401492.3

申请日：1991-06-07

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard ,  Gremillet, Jacques

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/8122 ,  H01L29/7722

摘要： Le composant est du type comportant : une électrode inférieure (2), formant soit émetteur ou source, soit collecteur ou drain ; une électrode centrale de commande (21, 25), formant base ou grille ; et une électrode supérieure (4), formant, respectivement, soit collecteur ou drain, soit émetteur ou source, un matériau semiconducteur (3) étant disposé entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure, et l'électrode de commande étant configurée au sein de ce matériau en une pluralité de doigts conducteurs adjacents définissant, dans l'intervalle transversal les séparant, au moins un canal semiconducteur (8) s'étendant verticalement entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure et dont la conduction est commandée par la polarisation de l'électrode de commande.
Selon l'invention, la région située, au droit des doigts, entre l'électrode de commande (21, 25) et l'électrode inférieure (2) comprend un matériau isolant (20), de manière à réduire la capacité parasite entre électrode de commande et électrode inférieure.
Très avantageusement, les doigts de l'électrode de commande (21, 25) comprenant chacun un dépôt conducteur (25) au fond d'une tranchée respective (7) creusée dans ledit matériau semiconducteur et les flancs de cette tranchée étant recouverts d'une couche de matériau de passivation (23), il est prévu entre lesdits flancs de tranchée et les flancs dudit dépôt conducteur un intervalle (27) à faible constante diélectrique, notamment constitué d'une région transversale dépourvue de matériau, de manière à réduire toute commande parasite du composant par les flancs de tranchée.

摘要翻译： 该设备是包含类型的：下部电极（2），形成发射极要么或源，或者形成集电极或漏极; 中央控制电极（21，25），在形成基极或栅极; 和上部电极（4），形成要么集电极或漏极，或形成发射极或源极，分别，半导体材料（3）的上部电极和下部电极，和控制电极之间设置在该材料作为内被配置 导电相邻手指限定，在横向间隙将它们分离的多个，至少一个半导体通道（8）的上部电极和下部电极和由控制电极的偏压控制的所有的导通之间垂直延伸。 ... 。根据本发明，区域，在垂直于手指，位于控制电极（21，25）和下部电极（2）之间的绝缘材料（20）的步骤包括，以减少 控制电极和下部电极之间的寄生电容。 ... 非常有利地，与控制电极的指状物（21，25）每个包括：在沟槽respectivement（7）掏空所述半导体材料的下部，并用的面的导电沉积（25） 此沟槽覆盖有钝化材料的层（23），具有低介电常数由横向区域没有材料的间隙（27），特别地，在所述沟槽侧面和所述导电沉积的侧面之间提供 在寻求一种方式，通过沟槽两侧，以减少设备的任何寄生操作。 ... ...

公开(公告)号：EP0461967A3

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：EP91401492.3

申请日：1991-06-07

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard ,  Gremillet, Jacques

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/8122 ,  H01L29/7722

摘要： Le composant est du type comportant : une électrode inférieure (2), formant soit émetteur ou source, soit collecteur ou drain ; une électrode centrale de commande (21, 25), formant base ou grille ; et une électrode supérieure (4), formant, respectivement, soit collecteur ou drain, soit émetteur ou source, un matériau semiconducteur (3) étant disposé entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure, et l'électrode de commande étant configurée au sein de ce matériau en une pluralité de doigts conducteurs adjacents définissant, dans l'intervalle transversal les séparant, au moins un canal semiconducteur (8) s'étendant verticalement entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure et dont la conduction est commandée par la polarisation de l'électrode de commande. Selon l'invention, la région située, au droit des doigts, entre l'électrode de commande (21, 25) et l'électrode inférieure (2) comprend un matériau isolant (20), de manière à réduire la capacité parasite entre électrode de commande et électrode inférieure. Très avantageusement, les doigts de l'électrode de commande (21, 25) comprenant chacun un dépôt conducteur (25) au fond d'une tranchée respective (7) creusée dans ledit matériau semiconducteur et les flancs de cette tranchée étant recouverts d'une couche de matériau de passivation (23), il est prévu entre lesdits flancs de tranchée et les flancs dudit dépôt conducteur un intervalle (27) à faible constante diélectrique, notamment constitué d'une région transversale dépourvue de matériau, de manière à réduire toute commande parasite du composant par les flancs de tranchée.