公开(公告)号：EP0016695B1

公开(公告)日：1984-01-04

申请号：EP80400339.0

申请日：1980-03-14

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： H03D9/06 ,  H04B1/26

CPC分类号： H03D9/0641 ,  H03D7/1408 ,  H03D9/0633

公开(公告)号：EP0021872A1

公开(公告)日：1981-01-07

申请号：EP80400674.0

申请日：1980-05-14

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： G01S7/02 ,  G01S13/50 ,  H03D9/06

CPC分类号： H03D9/0616 ,  G01S7/02 ,  G01S13/50

摘要： L'invention a pour but la réalisation industrielle d'une tête émettrice et réceptrice en ondes millimétriques, présentant une excellente qualité technique pour un prix de revient modéré et un encombrement minimum.
La tête suivant l'invention comporte par exemple un guide à section carrée (5), raccordé par un duplexeur (6), muni d'ailerons (51, 52) à deux guides à sections rectangulaires (7, 8) à polarisations croisées. L'un de ces guides (7) est en demi- cercle pour pouvoir recevoir, par une ouverture (NP) une embouchure de l'autre guide (8). Un mélangeur symétrique comportant deux diodes (27) reçoit les signaux des deux guides et comporte deux sorties (29). L'oscillateur (9) à diode Gunn ou du type à avalanche, sert d'émetteur et de générateur de signal local.
Application aux émetteurs-récepteurs et aux radars en ondes millimétriques.

公开(公告)号：EP0514250A1

公开(公告)日：1992-11-19

申请号：EP92401285.9

申请日：1992-05-12

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： G01R1/067 ,  G01R31/302

CPC分类号： G01R31/312 ,  G01R1/07

摘要： Un dispositif pour tester in situ des fonctions hyperfréquences dans un circuit hybride comprend une lamelle de silice (20) destinée à être placée au-dessus d'une ligne hyperfréquence (25) rayonnant une onde électromagnétique, des moyens de couplage (15) hyperfréquences, réalisés par des gravures métalliques sur la face supérieure (22) de la lamelle, pour capter l'onde électromagnétique. Le dispositif pour tests hyperfréquences est adapté pour des mesures dans la gamme des microondes et fonctionne avec des appareils de mesure sous pointes conventionnels.

摘要翻译： 一种用于在混合电路中测试原位超高频功能的装置包括旨在放置在超高频线（25）之上的辐射电磁波的二氧化硅条（20）和超高频耦合装置（15）， 通过在带的上表面（22）上的金属蚀刻产生，以便拾取电磁波。 超高频测试装置适用于微波范围内的测量，并与传统的探头测量装置一起使用。

公开(公告)号：EP0461967A2

公开(公告)日：1991-12-18

申请号：EP91401492.3

申请日：1991-06-07

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard ,  Gremillet, Jacques

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/8122 ,  H01L29/7722

摘要： Le composant est du type comportant : une électrode inférieure (2), formant soit émetteur ou source, soit collecteur ou drain ; une électrode centrale de commande (21, 25), formant base ou grille ; et une électrode supérieure (4), formant, respectivement, soit collecteur ou drain, soit émetteur ou source, un matériau semiconducteur (3) étant disposé entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure, et l'électrode de commande étant configurée au sein de ce matériau en une pluralité de doigts conducteurs adjacents définissant, dans l'intervalle transversal les séparant, au moins un canal semiconducteur (8) s'étendant verticalement entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure et dont la conduction est commandée par la polarisation de l'électrode de commande.
Selon l'invention, la région située, au droit des doigts, entre l'électrode de commande (21, 25) et l'électrode inférieure (2) comprend un matériau isolant (20), de manière à réduire la capacité parasite entre électrode de commande et électrode inférieure.
Très avantageusement, les doigts de l'électrode de commande (21, 25) comprenant chacun un dépôt conducteur (25) au fond d'une tranchée respective (7) creusée dans ledit matériau semiconducteur et les flancs de cette tranchée étant recouverts d'une couche de matériau de passivation (23), il est prévu entre lesdits flancs de tranchée et les flancs dudit dépôt conducteur un intervalle (27) à faible constante diélectrique, notamment constitué d'une région transversale dépourvue de matériau, de manière à réduire toute commande parasite du composant par les flancs de tranchée.

摘要翻译： 该设备是包含类型的：下部电极（2），形成发射极要么或源，或者形成集电极或漏极; 中央控制电极（21，25），在形成基极或栅极; 和上部电极（4），形成要么集电极或漏极，或形成发射极或源极，分别，半导体材料（3）的上部电极和下部电极，和控制电极之间设置在该材料作为内被配置 导电相邻手指限定，在横向间隙将它们分离的多个，至少一个半导体通道（8）的上部电极和下部电极和由控制电极的偏压控制的所有的导通之间垂直延伸。 ... 。根据本发明，区域，在垂直于手指，位于控制电极（21，25）和下部电极（2）之间的绝缘材料（20）的步骤包括，以减少 控制电极和下部电极之间的寄生电容。 ... 非常有利地，与控制电极的指状物（21，25）每个包括：在沟槽respectivement（7）掏空所述半导体材料的下部，并用的面的导电沉积（25） 此沟槽覆盖有钝化材料的层（23），具有低介电常数由横向区域没有材料的间隙（27），特别地，在所述沟槽侧面和所述导电沉积的侧面之间提供 在寻求一种方式，通过沟槽两侧，以减少设备的任何寄生操作。 ... ...

公开(公告)号：EP0005096B1

公开(公告)日：1981-12-16

申请号：EP79400216.2

申请日：1979-04-03

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard ,  Stevance, Jean

IPC分类号： H03B7/14

CPC分类号： H03B7/143 ,  H03C3/22

公开(公告)号：EP0545809A1

公开(公告)日：1993-06-09

申请号：EP92403238.6

申请日：1992-12-01

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L23/642 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/413 ,  Y10T29/417 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

摘要： L'invention concerne un dispositif de montage de circuits intégrés monolithiques hyperfréquences à très large bande.
Les puces de circuit intégré (5) sont montées sur un support en ferrite (20). Le support en ferrite est métallisé uniformément (26) sur sa face inférieure et porte des plages de métallisation (21, 24) sur son autre face. Sur certaines de ces plages (24) servant de plan de masse sont rapportées les puces de circuit intégré (5). Les autres plages (21) servent de relais pour connecter les tensions d'alimentation qui sont appliquées par l'intermédiaire d'un fil de liaison (7′) et d'une capacité à couches minces (10, 11, 12) de découplage portée par la puce. Les plages de masse (24) sont reliées au plan de masse général (26) par des trous métallisés (25). Le fil de liaison (7′) est disposé face à une partie nue du ferrite pour empêcher toute résonance parasite.
L'invention s'applique notamment au montage d'amplificateurs à très large bande en circuits intégrés AsGa.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于安装非常宽带的微波单片集成电路的装置。 集成电路芯片（5）安装在铁氧体支架（20）上。 铁氧体支撑体在其下表面上均匀地金属化（26）并且在其另一个表面上承载金属化焊盘（21,24）。 集成电路芯片（5）附接到用作接地平面的这些焊盘（24）中的某些。 其它焊盘（21）用作用于连接通过连接线（7'）施加的电源电压并经由由芯片承载的薄层去耦电容器（10,11,12）的继电器。 接地焊盘（24）通过金属化孔（25）连接到普通接地平面（26）。 为了防止任何寄生共振，连接线（7'）布置成与铁氧体的裸露部分相对。 ...本发明特别适用于由AsGa集成电路制成的非常宽带放大器的安装。 ... ...

公开(公告)号：EP0333567B1

公开(公告)日：1993-04-21

申请号：EP89400676.6

申请日：1989-03-10

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： H01P1/10

CPC分类号： H01P1/10 ,  H01L39/18 ,  Y10S505/866

公开(公告)号：EP0016695A1

公开(公告)日：1980-10-01

申请号：EP80400339.0

申请日：1980-03-14

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： H03D9/06 ,  H04B1/26

CPC分类号： H03D9/0641 ,  H03D7/1408 ,  H03D9/0633

摘要： L'invention a pour but d'obtenir un battement à fréquence dite intermédiaire à partir de deux fréquences en ondes millimétriques, en atténuant autant que possible les variations d'amplitude de la fréquence provenant de l'oscillateur local.
Le mélangeur selon l'invention comporte deux modules (51, 52 Figure 4) contenant chacun une diode dont une électrode est à la masse d'un support conducteur. Les modules sont face à face. Les diodes détectent le champ électrique (E s ) de l'onde du signal à traiter régnant dans une cavité (42) d'une part, et d'autre part, par les bandes conductrices (14) et (24) servant de sorties au mélangeur et s'étendant jusque dans une cavité (41) où règne le champ électrique (E L ) rayonné par l'oscillateur local, chaque module détecte également une partie de ce champ électrique. Les bornes de sortie de la frequence intermédiaire (140, 240). sont reliées à un amplificated operationnel non représente.
Application aux recepteurs à ondes millimétrtques.

公开(公告)号：EP0621652A1

公开(公告)日：1994-10-26

申请号：EP94400830.9

申请日：1994-04-15

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： H01P5/04

CPC分类号： H01P5/04

摘要： Les éléments électroniques intégrés à caractéristiques électriques variables, conformes à l'invention, comportent chacun au moins une micro-cavité (16) dans laquelle se déplace avec un débattement limité au moins un élément mobile (17-18) en matériau isolant au moins partiellement recouvert de matériau électriquement conducteur et coopérant avec au moins un circuit hyperfréquence du substrat (19-20), et des moyens créant un champ électrique pour déplacer l'élément mobile.

摘要翻译： 根据本发明的具有可变电特性的集成电子元件各自包括至少一个微腔（16），其中至少一个可移动元件（17-18）以有限的运动移动，该可移动元件由绝缘体 至少部分地被导电材料覆盖并与衬底（19-20）上的至少一个微波电路相互作用的材料，以及产生电场以便移动可移动元件的装置。

公开(公告)号：EP0333567A1

公开(公告)日：1989-09-20

申请号：EP89400676.6

申请日：1989-03-10

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cachier, Gérard

IPC分类号： H01P1/10

CPC分类号： H01P1/10 ,  H01L39/18 ,  Y10S505/866

摘要： L"invention concerne un interrupteur hyperfréquence.
Cet interrupteur comprend un tronçon de ligne de transmission (1), se séparant en deux branches (2, 3), dont l'une au moins peut passer d'un état normal à un état supraconducteur à une température critique (T c ), une jonction (32) réunissant les deux branches en un second tronçon (4) de ligne de transmission hyperfréquence et des moyens pour commander l'état, normal ou supraconducteur, de l'une ou des branches (1, 2). La différence de longueur des deux branches est choisie sensiblement égale à un multiple impair de demi- longueurs d'onde de manière que l'interrupteur soit bloqué ou passant lorsque les deux branches sont respectivement dans le même état, normal ou supraconducteur, ou dans un état différent. L'état des branches peut être commandé par un champ magnétique faisant varier la température critique.
L'invention s'applique aux duplexeurs, aux déphaseurs, et aux atténuateurs.