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    Process for forming a dual damascene structure
    4.
    发明公开
    Process for forming a dual damascene structure 有权
    Herstellung einer Doppel-Damaszener-Struktur

    公开(公告)号：EP1280197A1

    公开(公告)日：2003-01-29

    申请号：EP02100794.3

    申请日：2002-07-09

    申请人： Texas Instruments Incorporated

    发明人： ALI, Abbas ,  YANG, Ming

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/0276 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813

    摘要： The invention describes a method for forming a dual damascene structure. An etch stop layer (150) is formed on a dielectric layer (140). A second dielectric layer (160) is formed on the etch stop layer (150) and an oxynitride ARC layer (170) is formed the second dielectric layer. A first trench (185) is etched in the second dielectric layer (160) to a depth greater than the thickness of the second dielectric layer (160). A first trench (185) and a second trench (195) are then simultaneously formed in the first and second dielectric layers (140) and (160) respectively.

    摘要翻译： 本发明描述了形成双镶嵌结构的方法。 在电介质层（140）上形成刻蚀停止层（150）。 在蚀刻停止层（150）上形成第二介电层（160），并且在第二介电层上形成氧氮化物ARC层（170）。 第一沟槽（185）在第二介电层（160）中被蚀刻到比第二介电层（160）的厚度大的深度。 然后分别在第一和第二介电层（140）和（160）中形成第一沟槽（185）和第二沟槽（195）。