公开(公告)号：EP0768707A3

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：EP96101335.6

申请日：1996-01-31

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

发明人： Celii, Francis G. ,  Kao, Yung-Chung ,  Katz, Alan J. ,  Moise, Theodore S.

IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L29/882 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  C30B23/002 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： Molecular beam epitaxy (202) with growing layer thickness control (206) by feedback of mass spectrometer (204) signals based on a process model. Examples include III-V compound structures with multiple AlAs, InGaAs, and InAs layers as used in resonant tunneling diodes.

公开(公告)号：EP0706225A1

公开(公告)日：1996-04-10

申请号：EP95305803.9

申请日：1995-08-21

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

发明人： Moise, Theodore S. ,  Magel, Gregory A.

IPC分类号： H01L31/0352

CPC分类号： B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G02B6/4202 ,  G02B6/43 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1016

摘要： An optical interconnection system (300) for electronic circuitry with laser emitters (306-308), optical links (310) for transmission of optical signals, and optical modulators (322-324) and transparent detectors (312-314) connected to electronic circuitry to couple optical signals and electrical signals. Each transparent detector (312-314) includes a double barrier quantum well resonant tunneling diode abutting a photosensitive quantum well local electric field enhancer. The photosensitive quantum well absorbs only a few percent of input light and thus provides high fanout.

摘要翻译： 一种用于具有激光发射器（306-308）的电子电路的光学互连系统（300），用于传输光学信号的光学链路（310）以及连接到电子电路的光学调制器（322-324）和透明检测器（312-314） 耦合光信号和电信号。 每个透明检测器（312-314）包括与光敏量子阱局部电场增强器邻接的双重势垒量子阱谐振隧穿二极管。 感光量子阱仅吸收百分之几的输入光，从而提供高扇出。

公开(公告)号：EP1001459B1

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：EP99202911.6

申请日：1999-09-09

申请人： Texas Instruments Incorporated

发明人： Moise, Theodore S. ,  Xing, Guoqiang ,  Visokay, Mark ,  Gaynor, Justin F. ,  Summerfelt, Scott R. ,  Gilbert, Stephen R. ,  Celii, Francis ,  Colombo, Luigi ,  Kressley, Mark A.

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/51 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

公开(公告)号：EP1001459A3

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：EP99202911.6

申请日：1999-09-09

申请人： Texas Instruments Incorporated

发明人： Moise, Theodore S. ,  Xing, Guoqiang ,  Visokay, Mark ,  Gaynor, Justin F. ,  Summerfelt, Scott R. ,  Gilbert, Stephen R. ,  Celii, Francis ,  Colombo, Luigi ,  Kressley, Mark A.

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/51 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A via etch to contact a capacitor with ferroelectric between electrodes together with dielectric on an insulating diffusion barrier includes two-step etch with F-based dielectric etch and Cl- and F-based barrier etch.

摘要翻译： 通孔蚀刻使电容器之间的铁电电容器与绝缘扩散阻挡层上的电介质一起接触包括用F基电介质蚀刻剂和Cl-和F基阻挡层蚀刻剂的两步蚀刻。

公开(公告)号：EP1001459A2

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：EP99202911.6

申请日：1999-09-09

申请人： Texas Instruments Incorporated

发明人： Moise, Theodore S. ,  Xing, Guoqiang ,  Visokay, Mark ,  Gaynor, Justin F. ,  Summerfelt, Scott R. ,  Gilbert, Stephen R. ,  Celii, Francis ,  Colombo, Luigi ,  Kressley, Mark A.

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/115 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A via etch to contact a capacitor with ferroelectric between electrodes together with dielectric on an insulating diffusion barrier includes two-step etch with F-based dielectric etch and Cl- and F-based barrier etch.

摘要翻译： 在电极之间的电介质与电介质之间的电容器与绝缘扩散屏障上的电介质接触的通孔蚀刻包括基于F的电介质蚀刻和基于Cl和F的阻挡蚀刻的两步蚀刻。

公开(公告)号：EP0768707A2

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：EP96101335.6

申请日：1996-01-31

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

发明人： Celii, Francis G. ,  Kao, Yung-Chung ,  Katz, Alan J. ,  Moise, Theodore S.

IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L29/882 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  C30B23/002 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： Molecular beam epitaxy (202) with growing layer thickness control (206) by feedback of mass spectrometer (204) signals based on a process model. Examples include III-V compound structures with multiple AlAs, InGaAs, and InAs layers as used in resonant tunneling diodes.

摘要翻译： 基于过程模型，分子束外延（202）具有通过质谱仪（204）反馈信号生长层厚度控制（206）。 实例包括具有多个AlAs，InGaAs和InAs层的III-V族化合物结构，用于谐振隧穿二极管。