公开(公告)号：EP2660225A1

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：EP11853630.9

申请日：2011-07-15

申请人： Toyo Tanso Co., Ltd.

发明人： SETANI, Kaoru ,  MATSUNAGA, Hiroaki ,  TAKEDA, Akiyoshi

IPC分类号： C04B41/87 ,  C01B31/30 ,  C01B31/34 ,  C04B35/52

CPC分类号： H01L21/68757 ,  C01B32/20 ,  C01B32/914 ,  C01B32/949 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5057 ,  C04B41/87 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/30 ,  C04B35/522 ,  C04B41/4517 ,  C04B41/4545 ,  C04B41/4556

摘要： A carbon material, a jig, and a method of manufacturing the carbon material are provided that can prevent dust emission and also improve the temperature resistance under a nitrogen atmosphere. In a carbon material having a carbon substrate and a metal carbide layer formed on a surface of the carbon substrate, the metal carbide layer includes molybdenum carbide and/or iron carbide. The carbon substrate embedded in a surface modifying agent containing a pyrolytic hydrogen halide generating agent and molybdenum particles and/or iron particles is heat-treated together with a carbon member other than the carbon substrate.

摘要翻译： 提供碳材料，夹具和碳材料的制造方法，其可以防止粉尘的发射，并且还可以在氮气气氛下提高耐温性。 在具有碳基板和形成在碳基板的表面上的金属碳化物层的碳材料中，金属碳化物层包括碳化钼和/或碳化铁。 嵌入含有热解卤化物发生剂和钼颗粒和/或铁颗粒的表面改性剂中的碳基板与碳基板以外的碳构件一起进行热处理。

公开(公告)号：EP2679565A1

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：EP12749856.6

申请日：2012-02-21

申请人： Toyo Tanso Co., Ltd.

发明人： SETANI, Kaoru ,  MATSUNAGA, Hiroaki ,  TAKEDA, Akiyoshi

IPC分类号： C04B41/87 ,  C01B31/02 ,  C01B31/04 ,  C04B35/52

CPC分类号： H01L29/12 ,  C04B35/52 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5057 ,  C04B41/87 ,  H01L21/02521 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/4545 ,  C04B41/455

摘要： By inhibiting generation of particles, a carbon material and a method of manufacturing the carbon material are provided that can be used in the field of semiconductor manufacturing or the like, in which low dust emission is considered important.
A carbon material having a chromium carbide layer formed on a surface of a carbon substrate. The chromium carbide layer is composed of Cr 3 C 2 . The carbon material can be manufactured through a first step of forming a chromium carbide layer containing a chromium carbide other than Cr 3 C 2 on a surface of a carbon substrate, and a second step of heat-treating the carbon substrate under a reducing atmosphere to convert the chromium carbide other than Cr 3 C 2 into Cr 3 C 2 .

摘要翻译： 通过抑制颗粒的产生，可以提供碳材料和碳材料的制造方法，其可以用于半导体制造等领域，其中低尘发射被认为是重要的。 在碳基板的表面形成有碳化铬层的碳材料。 碳化铬层由Cr 3 C 2构成。 碳材料可以通过在碳基板的表面上形成含有Cr 3 C 2以外的碳化铬的碳化铬层的第一工序和在还原气氛下对碳基板进行热处理的第二工序来制造 将Cr 3 C 2以外的碳化铬转换为Cr 3 C 2。

公开(公告)号：EP2508477A1

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：EP10834428.4

申请日：2010-09-22

申请人： Toyo Tanso Co., Ltd.

发明人： MATSUNAGA, Hiroaki ,  SETANI, Kaoru ,  ISHII, Takugo ,  TAKEDA, Akiyoshi

IPC分类号： C01B31/30

CPC分类号： C01B32/90

摘要： A method of manufacturing a carbon material that can prevent formation of unevenness of a coating film and degradation in adhesivity of the coating film, by inhibiting a carbon substrate from forming a portion in which a metal carbide layer is not formed. The method is characterized by including a first step of causing metal powder to adhere to a carbon substrate by coating the carbon substrate with a slurry containing the metal powder and polyvinyl alcohol as a binder, and a second step of heat-treating the carbon substrate to which the metal powder has adhered in a vessel containing an atmosphere of hydrogen chloride gas.

摘要翻译： 通过抑制碳基体形成未形成金属碳化物的部分的方法，可以防止形成涂膜的不均匀性和涂膜粘附性降低的碳材料的制造方法。 该方法的特征在于包括：通过用含有金属粉末和聚乙烯醇作为粘合剂的浆料涂覆碳基板使金属粉末附着在碳基板上的第一步骤，以及将碳基板热处理的第二步骤 金属粉末粘附在含有氯化氢气体气氛的容器中。

公开(公告)号：EP2615075A1

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：EP11823337.8

申请日：2011-07-15

申请人： Toyo Tanso Co., Ltd.

发明人： TAKEDA, Akiyoshi ,  MATSUNAGA, Hiroaki ,  SETANI, Kaoru

IPC分类号： C04B41/89 ,  C01B31/04 ,  C04B35/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/88 ,  C04B41/90 ,  C23C28/00

CPC分类号： B05D1/38 ,  B32B9/041 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C23C10/58 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  C04B35/52 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5057 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/4545 ,  C04B41/5133

摘要： A carbon material and a method of manufacturing the same are provided that make it possible to form a layer of a metal that is highly reactive with carbon, such as tungsten, on a carbon substrate while at the same time inhibiting an increase in manufacturing cost and a degradation of processing accuracy. The carbon material has a carbon substrate 2, a first layer 12, and a second layer 13. The first layer contains a carbide of a transition metal. The second layer contains a second metal and/or a carbide of the second metal and a carbide of the transition metal, the second metal being at least one metal selected from the group of metals consisting of Group 4 elements, Group 5 elements, and Group 6 elements. The first and second layers are formed on a surface of the carbon substrate in that order.

摘要翻译： 提供一种碳材料及其制造方法，其可以在碳基板上形成与诸如钨的碳高度反应性的金属层，同时抑制制造成本的增加和 处理精度降低。 碳材料具有碳基板2，第一层12和第二层13.第一层包含过渡金属的碳化物。 第二层包含第二金属的第二金属和/或碳化物和过渡金属的碳化物，第二金属是选自第4族元素，第5族元素和第4族元素组中的至少一种金属 6个元素。 第一层和第二层依次形成在碳衬底的表面上。

公开(公告)号：EP2505553A1

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：EP10832963.2

申请日：2010-09-22

申请人： Toyo Tanso Co., Ltd.

发明人： ISHII, Takugo ,  SETANI, Kaoru ,  MATSUNAGA, Hiroaki ,  TAKEDA, Akiyoshi

IPC分类号： C01B31/02

CPC分类号： C01B32/225 ,  C01B32/05 ,  Y10T428/30

摘要： When treated with a halogen gas, a carbon material can inhibit emission of an impurity after the treatment. A method of manufacturing the carbon material is also provided.
A carbon material is subjected to an annealing process under a reduced pressure of from 1 to 10000 Pa in a H 2 gas atmosphere at 500°C to 1200°C. The duration of the annealing process is from 1 minute to 20 hours. This makes it possible to control the concentration of the halogen emitted, such as chlorine, to 5 ppb or less.

摘要翻译： 当用卤素气体处理时，碳材料可以抑制处理后的杂质发射。 还提供了制造碳材料的方法。 在500〜1200℃的H 2气氛中，在1〜10000Pa的减压下对碳材进行退火处理。 退火过程的持续时间为1分钟至20小时。 这使得可以将排放的卤素如氯的浓度控制在5ppb以下。