公开(公告)号：EP0608335A1

公开(公告)日：1994-08-03

申请号：EP92921971.0

申请日：1992-10-09

申请人： VLSI TECHNOLOGY, INC.

发明人： NARIANI, Subhash, R. ,  JAIN, Vivek ,  PRAMANIK, Dipanker ,  CHANG, Kuang-Yeh

IPC分类号： H01L21 ,  H01L23 ,  H01L27

CPC分类号： H01L23/291 ,  H01L21/314 ,  H01L23/298 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/91 ,  Y10S438/958 ,  H01L2924/00

摘要： L'invention concerne un circuit intégré comprenant une ou plusieurs couches de silicium amorphe (14, 14a, 15, 15a) destinées à neutraliser des charges se produisant dans diverses couches diélectriques (6) au cours de la fabrication. Les couches de silicium amorphe comprennent des liaisons en silicium libres neutralisant des charges qui autrement auraient pour effets de provoquer une panne d'isolation, un affaiblissement du rendement des circuits intégrés et une augmentation des coûts de production.

公开(公告)号：EP0597015B1

公开(公告)日：1996-06-19

申请号：EP92917139.5

申请日：1992-07-24

申请人： VLSI TECHNOLOGY, INC.

发明人： BOARDMAN, William, J. ,  CHAN, David, P.-Kwan ,  CHANG, Kuang-Yeh ,  GABRIEL, Calvin, T. ,  JAIN, Vivek ,  NARIANI, Subhash, R.

IPC分类号： H01L23/525

CPC分类号： H01L21/76888 ,  H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/055 ,  H01L2924/00

摘要： An anti-fuse structure characterized by a substrate (18), an oxide layer (46) formed over the substrate having an opening (48) formed therein, an amorphous silicon material (52) disposed within the opening and contacting the substrate, a conductive protective material (59), such as titanium tungsten, disposed over the amorphous silicon material, and oxide spacers (64) lining the walls of a recess formed within the protective material. The protective material and the spacers provide tighter programming voltage distribution for the anti-fuse structure and help prevent anti-fuse failure.

公开(公告)号：EP0634053A1

公开(公告)日：1995-01-18

申请号：EP93909193.0

申请日：1993-03-29

申请人： VLSI TECHNOLOGY, INC.

发明人： JAIN, Vivek ,  PRAMANIK, Dipankar ,  NARIANI, Subhash

IPC分类号： H01L21 ,  H01L23 ,  H01L27 ,  H01L29

CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Suppression of charge loss and hot carrier degradation in EEPROMs and EPROMs, and of instability in the polysilicon pull-up resistors (R1, R2, 14) associated with SRAMs is achieved by the inclusion of at least one layer of silicon-enriched oxide (26, 28, 30) in the MOS structure. In such MOS structures, the silicon-enriched oxide layer (26, 28, 30) may be disposed immediately beneath the interlayer dielectric layer (16), or immediately beneath the inter-metal oxide layer (20), or immediately beneath the passivation layer (24), or in any combination of these locations. Each silicon-enriched oxide layer (26, 28, 30) has a refractive index of at least about 1.50, and preferably contains at least about 10?17 per cm3¿ dangling bonds.

公开(公告)号：EP0587739A1

公开(公告)日：1994-03-23

申请号：EP92912935.0

申请日：1992-06-04

申请人： VLSI TECHNOLOGY, INC.

发明人： BOARDMAN, William, J. ,  CHAN, David, P.-Kwan ,  CHANG, Kuang-Yeh ,  GABRIEL, Calvin, T. ,  JAIN, Vivek ,  NARIANI, Subhash, R.

IPC分类号： H01L21 ,  H01L23

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/055 ,  H01L2924/00

摘要： Structure d'anti-fusible caractérisée par un substrat, une couche d'oxyde (46) formée sur le substrat et dans laquelle sont formées des ouvertures (48), une matière en silicium amorphe (52) déposée à l'intérieur de l'ouverture et au contact du substrat, ainsi que des pièces d'espacement en oxide (64) recouvrant les parois d'un évidement formé à l'intérieur du silicium amorphe. Les pièces d'espacement empêchent les défaillances des structures d'anti-fusibles en recouvrant les points de rebroussement formés dans la matière au silicium amorphe. Le procédé de l'invention permet de former la structure d'antifusible précitée et il résoud le problème du retrait de la matière de la pièce d'espacement indésirable des zones situées à l'extérieur des emplacements de la structure d'antifusible.

公开(公告)号：EP0597015A1

公开(公告)日：1994-05-18

申请号：EP92917139.0

申请日：1992-07-24

申请人： VLSI TECHNOLOGY, INC.

发明人： BOARDMAN, William, J. ,  CHAN, David, P.-Kwan ,  CHANG, Kuang-Yeh ,  GABRIEL, Calvin, T. ,  JAIN, Vivek ,  NARIANI, Subhash, R.

IPC分类号： H01L21 ,  H01L23 ,  H01L27

CPC分类号： H01L21/76888 ,  H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/055 ,  H01L2924/00

摘要： Structure anti-fusion caractérisée par un substrat (18), par une couche d'oxyde (46) disposée au-dessus du substrat et pourvue d'une ouverture (48), par un matériau en silicium amorphe (52) disposé à l'intérieur de ladite ouverture et se trouvant en contact avec ledit substrat, par un matériau de protection conducteur (59), tel que du tungstène-titane, situé au-dessus du matériau en silicium amorphe, ainsi que par des éléments d'écartement en oxyde (64) recouvrant les parois d'un creux situé à l'intérieur du matériau de protection. Ledit matériau de protection, ainsi que les éléments d'écartement permettent de répartir plus exactement les tensions de programmation dans la structure anti-fusion et d'empêcher les défaillances de la fonction anti-fusion.