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    Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
    2.
    发明公开
    Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls 有权

    公开(公告)号：EP0926270A1

    公开(公告)日：1999-06-30

    申请号：EP98123048.5

    申请日：1998-12-08

    申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft

    发明人： von Ammon, Wilfried, Dr. ,  Tomzig, Erich, Dr. ,  Virbulis, Janis, Dr.

    IPC分类号： C30B15/14

    CPC分类号： C30B15/14 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088

    摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Halbleitermaterial durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze, die sich in einem Tiegel befindet und von einem Seitenheizer erhitzt wird, der den Tiegel umgibt. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelze durch eine ringförmige Heizvorrichtung, die den Einkristall umgibt und über der Schmelze angeordnet ist, in einem ringförmigen Bereich um den Einkristall herum zusätzlich erhitzt wird. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Heizvorrichtung, die zur Durchführung des Verfahrens geeignet ist.

    摘要翻译： 半导体单晶从侧面加热的坩埚中的熔体中拉出，同时晶体周围的环形熔融区域另外被熔体上方的环形加热器加热。 还包括用于进行上述过程的设备的独立权利要求，其中环形加热器围绕晶体并且位于熔体上方，用于辐射加热晶体周围的熔体的环形区域。 优点：环形加热器是反射器，电阻加热器或感应加热器。