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1.发明授权Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte 失效一种用于制备硅半导体晶片具有低缺陷密度的过程
公开(公告)号：EP0829559B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：EP97115806.8
申请日：1997-09-11
发明人： Graef, Dieter, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Wahlich, Reinhold , Krottenthaler, Peter , Lambert, Ulrich, Dr.
CPC分类号： C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06 , Y10S117/916
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2.发明授权Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte 失效一种用于制备硅半导体晶片具有低缺陷密度的过程
公开(公告)号：EP0829559B2
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：EP97115806.8
申请日：1997-09-11
发明人： Graef, Dieter, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Wahlich, Reinhold , Krottenthaler, Peter , Lambert, Ulrich, Dr.
CPC分类号： C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06 , Y10S117/916
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3.发明公开Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte 失效一种用于制备硅半导体晶片具有低缺陷密度的过程
公开(公告)号：EP0829559A1
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：EP97115806.8
申请日：1997-09-11
发明人： Graef, Dieter, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Wahlich, Reinhold , Krottenthaler, Peter , Lambert, Ulrich, Dr.
CPC分类号： C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06 , Y10S117/916
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumscheiben mit niedriger Defektdichte. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß
a) ein Einkristall aus Silicium mit einer Sauerstoff-Dotierung von mindestens 4*10 17 /cm 3 hergestellt wird, indem man schmelzflüssiges Material zu einem Einkristall erstarren und abkühlen läßt, und die Verweildauer des Einkristalls beim Abkühlen im Temperaturbereich von 850 bis 1100 °C kürzer als 80 min ist;
b) der Einkristall zu Silicumscheiben verarbeitet wird; und
c) die Siliciumscheiben bei einer Temperatur von mindestens 1000 °C für mindestens 1h getempert werden.
Schritt a) kann durch Schritt i) ersetzt sein:
i) ein Einkristall aus Silicium mit einer Sauerstoff-Dotierung von mindestens 4*10 17 /cm 3 und mit einer Stickstoff-Dotierung von mindestens 1*10 14 /cm 3 bereitgestellt wird.摘要翻译： 硅晶片的制造方法包括：（a）形成具有到的氧掺杂浓度的单晶硅4×10 <17> /厘米<3>，其中将熔融材料凝固成单晶，并在850冷却80分钟 -1100摄氏度; （B）处理所述单晶硅晶片到; 和（c）回火晶片在≥1000℃下≥1小时。
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