-
公开(公告)号：EP1225255A1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：EP02000204.4
申请日：2002-01-10
发明人： von Ammon, Wilfried, Dr. , Virbulis, Janis, Dr. , Tomzig, Erich, Dr. , Gelfgat, Yuri, Dr. , Gorbunov, Leonid, Dr.
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/305
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium, durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze, die in einem Tiegel mit einem Durchmesser von mindestens 450 mm enthalten ist, über dem ein Wärmeschild angeordnet ist, wobei der Einkristall mit einem Durchmesser von mindestens 200 mm gezogen wird und die Schmelze dem Einfluß eines magnetischen Wanderfelds ausgesetzt wird, das im Bereich der Tiegelwand eine im wesentlichen vertikal ausgerichtete Kraft auf die Schmelze ausübt. Gegenstand der Erfindung ist weiterhin eine Vorrichtung, die zum Durchführen des Verfahrens geeignet ist.
摘要翻译： 制造硅单晶的方法是通过从包含在至少450mm的直径的坩埚中的硅熔体拉出单晶，在其上方布置有隔热层。 被拉伸的单晶直径至少为200mm。 硅熔体受到在坩埚壁的区域中对熔体施加基本垂直取向的力的行进磁场的影响。 还有一种适用于执行该过程的装置。
-
2.发明公开
公开(公告)号：EP1163379A1
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：EP00910756.6
申请日：2000-03-02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/206 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要： The invention relates to a semiconductor wafer which consists of a silicon substrate wafer and an epitaxial silicon layer deposited thereon. The substrate wafer has a specific resistance of 0.1 to 50 Φcm, an oxygen concentration of less than 7.5*10?17 atcm-3¿ and a nitrogen concentration of 1*1013 to 5*10?15 atcm-3¿. The epitaxial layer is 0.2 to 1.0 νm thick and has a surface on which fewer than 30 LLS (localised light scattering) defects which are greater in size than 0.085 νm can be detected. The invention also relates to a method for producing the semiconductor wafer, which is characterised by a sequence of steps comprising: providing the substrate wafer with the aforementioned features; heating the substrate wafer in a deposition reactor to a deposition temperature of at least 1120 °C; and depositing the epitaxial layer thereon with a thickness of 0.2 to 1.0 νm, immediately after the deposition temperature has been reached.
-
3.发明授权
公开(公告)号：EP0857542B1
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：EP98101959.9
申请日：1998-02-05
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/08 , H01L21/2007
-
4.发明授权
公开(公告)号：EP0965036B1
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：EP98913674.2
申请日：1998-03-06
发明人： SCHMOLKE, Rüdiger , GERBER, Hans-Adolf , GRÄF, Dieter , KERSCHREITER, Robert , LUGER, Anton , SUHREN, Monique
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/93
摘要： The invention relates to a reproducible standard for calibrating and checking the bright-field channel of a surface inspection device used for examining the flat surface of a sample and to a method for producing said standard whereby a microstructure is produced on a surface of a substrate provided as a standard, characterized in that the microstructure is smoothed out.
-
公开(公告)号：EP0866150B1
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：EP98104987.7
申请日：1998-03-19
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , Y10T117/1068
-
公开(公告)号：EP1033421A1
公开(公告)日：2000-09-06
申请号：EP99120980.0
申请日：1999-11-04
发明人： Weber, Martin, Dr.
CPC分类号： B01D50/00 , C30B15/00 , C30B15/20 , Y10S423/05 , Y10S423/06
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Passivierung von brennbaren, metallurgischen Stäuben, die im Abgasfilter von Tiegelziehanlagen anfallen, insbesondere von Tiegelziehanlagen zum Ziehen von Siliciumeinkristallen das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Stäube im Abgasstrom der Tiegelziehanlage mittels eines Reaktionsgases bei Temperaturen von 50 bis 500°C kontinuierlich passiviert werden.
摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于钝化可燃，冶金灰尘积聚在坩埚拉设备的气体过滤器，特别是拉晶设备用于硅的提拉单晶，其特征在于，所述灰尘在从坩埚拉丝机的废气流通过反应气体的装置在50的温度下，以500℃ 连续钝化。
-
7.发明授权Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls und Heizvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens 失效一种用于生产硅单晶和加热装置用于执行该方法的过程
公开(公告)号：EP0854209B1
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：EP97121840.9
申请日：1997-12-11
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , H05B6/02 , H05B6/24 , Y10T117/1068
-
公开(公告)号：EP0837115B1
公开(公告)日：2000-01-05
申请号：EP97117891.8
申请日：1997-10-16
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： B28D1/025 , C09K3/1472
-
9.发明公开
公开(公告)号：EP0965036A1
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：EP98913674.0
申请日：1998-03-06
发明人： SCHMOLKE, Rüdiger , GERBER, Hans-Adolf , GRÄF, Dieter , KERSCHREITER, Robert , LUGER, Anton , SUHREN, Monique
CPC分类号： G01N21/93
摘要： The invention relates to a reproducible standard for calibrating and checking the bright-field channel of a surface inspection device used for examining the flat surface of a sample and to a method for producing said standard whereby a microstructure is produced on a surface of a substrate provided as a standard, characterized in that the microstructure is smoothed out.
-
10.发明公开Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben 有权用于制造圆筒形单晶和方法，用于分离半导体晶片的方法和装置
公开(公告)号：EP0962284A1
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：EP99109278.4
申请日：1999-05-27
CPC分类号： B24B47/22 , B24B49/12 , B28D5/0058 , B28D5/0088 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls aus Halbleitermaterial mit möglichst geringer Fehlorientierung des Kristallgitters. Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben von zwei oder mehreren solcher Einkristalle mittels Drahtsägen. Das Verfahren zur Herstellung des Einkristalls umfaßt folgende Schritte:
a) Herstellen eines Einkristalls mit einer Fehlorientierung des Kristallgitters von höchstens 1,5 °;
b) Anordnen des Einkristalls in einer Weise, daß der Einkristall um zwei Drehachsen gedreht werden kann, wobei die Drehachsen senkrecht zu zwei Ebenen liegen, die von zwei Achsen eines rechtwinkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z aufgespannt werden;
c) Drehen des Einkristalls um die Drehachsen bis die Kristallachse parallel zur x,y-Ebene und parallel zur x,z-Ebene des Koordinatensystems liegt;
e) Anbringen von Druckstücken an den Stirnseiten des Einkristalls; und
f) Drehen des Einkristalls um die Kristallachse, wobei der Einkristall zwischen den Druckstücken in einer Schleifmaschine eingespannt ist, und Abschleifen einer Mantelfläche des Einkristalls bis der Einkristall einen bestimmten, einheitlichen Durchmesser aufweist.摘要翻译： 所述半导电材料具有晶格，晶轴和几何轴线（4）。 晶轴的空间位置被确定通过X射线的测角仪的方式开采（6）。 单晶成直角接通两个旋转轴通过与轴x，y和z直角坐标系统的两个轴张紧两个平面。 推力件（9）被施加到单结晶（1）的端边（10）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
133 条记录 (耗时 0.018 秒)
