利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

3 条记录 (耗时 0.007 秒)

    Resistive random access memory and method of fabricating the same
    2.
    发明公开
    Resistive random access memory and method of fabricating the same 有权
    电阻随机存取存储器及其制造方法

    公开(公告)号：EP2927975A1

    公开(公告)日：2015-10-07

    申请号：EP14186833.1

    申请日：2014-09-29

    申请人： Winbond Electronics Corp.

    发明人： Ho, Chia-Hua ,  Chang, Shuo-Che ,  Liao, Hsiu-Han ,  Hsu, Po-Yen ,  Lin, Meng-Hung ,  Wu, Bo-Lun ,  Shen, Ting-Ying

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

    摘要： Provided is a resistive random access memory including a first electrode layer (102), a second electrode layer (106), and a variable resistance layer (104) disposed between the first electrode layer and the second electrode layer, wherein the second electrode layer includes a first sublayer (108), a second sublayer (112), and a conductive metal oxynitride layer (110) disposed between the first sublayer and the second sublayer.

    摘要翻译： 提供一种电阻式随机存取存储器，其包括第一电极层（102），第二电极层（106）以及设置在第一电极层与第二电极层之间的可变电阻层（104），其中第二电极层包括 第一子层（108），第二子层（112）以及设置在第一子层和第二子层之间的导电金属氧氮化物层（110）。