摘要:
Es wird ein Verfahren zur kontinuierlichen Aufarbeitung von Rückständen einer Chlorsilandestillation durch Hydrolyse mit Wasserdampf beschrieben. Die Hydrolyse erfolgt im Fall der kontinuierlichen Durchführung bei einer Anfangstemperatur von höchstens 160 °C und einer Endtemperatur von mindestens 170 °C. Im Fall der batchweisen Durchführung werden im Hydrolysereaktor bestimmte Wasserdampfmengen und Temperaturen eingestellt.
摘要:
A method and respect material for the production of chlorosilanes (primarily: trichlorosilane) and the deposition of high purity poly-silicon from these chlorosilanes. The source for the chlorosilane production consists of eutectic or hypo-eutectic copper-silicon, the concentration range of said copper-silicon is between 10 and 16 wt% silicon. The eutectic or hypo-eutectic copper-silicon is cast in a shape suitable for a chlorination reactor, where it is exposed to a process gas, which consists, at least partially, of HCI. The gas reacts at the surface of the eutectic or hypo-eutectic copper-silicon and extracts silicon in the form of volatile chlorosilane. The depleted eutectic or hypo-eutectic material might be afterwards recycled in such a way that the amount of extracted silicon is replenished and the material is re-cast into the material shape desired.
摘要:
Beim Verfahren zur Gewinnung chloridarmer Ofenasche als Reaktionsrückstand bei der Umsetzung von Rohsilicium mit Chlorwasserstoff und/oder Chlor wird der Chloridgehalt der Asche dadurch herabgesetzt, daß man die Ofenasche dem weiteren Kontakt mit dem Chlorierungsmittel entzieht.
摘要:
The present invention relates to a method for producing chlorinated oligosilanes, chlorinated polysilane having an empirical formula of SiCl 1.0-2.8 and/or a mixture containing the chlorinated polysilane being reacted with elementary chlorine or a chlorine-containing mixture. The invention further relates to the chlorinated oligosilanes produced by said method and to the use thereof for the manufacture of semiconductors and/or hard coatings.
摘要:
A method and respect material for the production of chlorosilanes (primarily: trichlorosilane) and the deposition of high purity poly-silicon from these chlorosilanes. The source for the chlorosilane production consists of eutectic or hypo-eutectic copper- silicon, the concentration range of said copper-silicon is between 10 and 16 wt% silicon. The eutectic or hypo-eutectic copper-silicon is cast in a shape suitable for a chlorination reactor, where it is exposed to a process gas, which consists, at least partially, of HCI. The gas reacts at the surface of the eutectic or hypo-eutectic copper-silicon and extracts silicon in the form of volatile chlorosilane. The depleted eutectic or hypo- eutectic material might be afterwards recycled in such a way that the amount of extracted silicon is replenished and the material is re-cast into the material shape desired.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrachlorid in einem Anlagenverbund indem man - in der Einheit (A) SiO 2 und Kohlenstoff mit Cl 2 bei einer Temperatur im Bereich von 700 bis 1600 °C umsetzt und das Umsetzungsprodukt fraktioniert kondensiert und SiCl 4 gewinnt, - in der Einheit (B) das Chlorsilane-Gemisch mit einem Alkohol, vorzugsweise Methanol oder Ethanol, umsetzt (verestert), und dabei freigesetztes HCl(g) zumindest anteilig in Einheit (A) zurückführt, - in Einheit (C) Chlorsilane-Gemisch mindestens unter Zusatz von Sauerstoff und/oder Luft verbrennt und Chlor-haltiges Gas in Einheit (A) zurückführt, - in Einheit (D) die in den Einheiten (A), (B) und (C) anfallenden HCl-haltigen Gas- bzw. Abgasströme in Gegenwart eines Oxidationskatalysators unter Zusatz von Sauerstoff und/oder Luft einem Oxidationsschritt unterzieht, dabei Cl 2 gewinnt und das gewonnene Cl 2 zumindest anteilig in die Einheit (A) zurückführt.
摘要:
Reactor design and operating conditions enabling adiabatic direct chlorination of metallurgic silicon by hydrogen chloride are presented. The exothermic heat of reaction is absorbed by cooling fluid in admixture with the reactants and products of the reaction, thereby eliminating the necessity of external cooling for the reactor. Reactor temperature is managed by controlling the temperature and composition of reactor feedstock. Feedstock comprises hydrogen, STC, TCS, HCl, and metallurgic silicon. Exemplary feedstock composition, flow-rates, and temperatures are provided. Alternate means of producing the feedstock are described, including a method whereby the feedstock is the product of an upstream STC converter.
摘要:
The invention relates to a process for preparing chlorosilanes of the general formula H 4-n SiCl n with n = 1, 2, 3, and/or 4, the process being characterized in that silicon in a silicon bed is reacted with Cl 2 or HCl and with at least one silicon-containing compound in a reactor.
摘要:
Es wird ein Verfahren zur Aufarbeitung von Rückständen beschrieben, welche bei der Destillation von Chlorsilanen anfallen, wenn diese durch Umsetzung von Rohsilicium mit Chlor oder Chlorwasserstoff hergestellt werden. Die Rückstände werden in wäßriger Phase mit einem Überschuß von mindestens 15 % an Calcium-Basen (CaO bzw. Ca(OH)₂) oder Calciumcarbonat behandelt. Hierbei werden die flüssigen Bestandteile in den Prozeß zurückgeführt, so daß kein Abwasser entsteht.