公开(公告)号：EP2682738A1

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：EP12175185.3

申请日：2012-07-05

申请人： Atlas Material Testing Technology GmbH

发明人： Rudolph, Bernd ,  March, Peter

IPC分类号： G01N17/00

CPC分类号： B01J19/123 ,  G01N17/004 ,  H01L31/143

摘要： Die Vorrichtung weist eine in der Bewitterungskammer (1) angeordnete UV-Lichtemissionsdiode (UV-LED) (2) und eine UV-Lichtempfangsdiode (4) auf, welche auf derselben Materialbasis aufgebaut ist wie die UV-LED (2) und derart relativ zu der UV-LED (2) angeordnet ist, dass im Betrieb der Vorrichtung ein Anteil der von der UV-LED (2) emittierten Strahlung auf die UV-Lichtempfangsdiode (4) auftrifft.

摘要翻译： 该装置具有布置在风化室中并包括UV LED（2）的UV辐射装置。 UV光接收二极管（4）由基于UV LED的相同材料制成，并且相对于UV LED布置，使得在器件操作期间由UV LED发射的UV辐射的一部分照射在接收二极管上。 UV LED和接收二极管布置在扁平的矩形公共载体（5）即电路板上。 耦合介质即石英玻璃块（6）布置在入射在接收二极管上的部分的光束路径中。 还包括用于操作用于人为风化或测试样品的耐光性的装置的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP0985234A1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：EP97914537.2

申请日：1997-04-08

申请人： 3DV Systems Ltd.

发明人： YAHAV, Giora ,  IDDAN, Gavriel, J.

IPC分类号： H01L31/153

CPC分类号： H01L31/143

摘要： A solid-state optoelectronic shutter having an input and an output, comprising a semiconductor material, having formed therein or thereon: a planar photodiode (24), having a planar surface, and optically communicating with the input; a planar LED layer (26), having a planar surface substantially parallel to the planar photodiode, and optionally communicating with the output; and a planar gate layer (28), intermediate the planar photodiode and the planar LED.

公开(公告)号：EP2727154A2

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：EP12804913.7

申请日：2012-07-02

申请人： University of Florida Research Foundation, Inc. ,  Nanoholdings LLC

发明人： SO, Franky ,  KIM, Do, Young ,  LEE, Jae, Woong ,  PRADHAN, Bhabendra, K.

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L27/3227 ,  H01L27/288 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/09 ,  H01L31/143 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/422 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/56 ,  H01L2031/0344 ,  H04N5/33 ,  Y02E10/549

摘要： Photodetectors, methods of fabricating the same, and methods using the same to detect radiation are described. A photodetector can include a first electrode, a light sensitizing layer, an electron blocking/tunneling layer, and a second electrode. Infrared-to-visible upconversion devices, methods of fabricating the same, and methods using the same to detect radiation are also described. An Infrared-to-visible upconversion device can include a photodetector and an OLED coupled to the photodetector.

摘要翻译： 光探测器及其制造方法以及使用该光检测器的方法来检测辐射。 光检测器可以包括第一电极，光敏层，电子阻挡层/隧道层和第二电极。 还描述了红外至可见上转换装置，其制造方法以及使用该上变换装置的方法来检测辐射。 红外到可见的上变频装置可以包括耦合到光电检测器的光电检测器和OLDE。

公开(公告)号：EP2727154A4

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：EP12804913

申请日：2012-07-02

申请人： UNIV FLORIDA ,  NANOHOLDINGS LLC

发明人： SO FRANKY ,  KIM DO YOUNG ,  LEE JAE WOONG ,  PRADHAN BHABENDRA K

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L51/44 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L27/3227 ,  H01L27/288 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/09 ,  H01L31/143 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/422 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/56 ,  H01L2031/0344 ,  H04N5/33 ,  Y02E10/549

摘要： Photodetectors, methods of fabricating the same, and methods using the same to detect radiation are described. A photodetector can include a first electrode, a light sensitizing layer, an electron blocking/tunneling layer, and a second electrode. Infrared-to-visible upconversion devices, methods of fabricating the same, and methods using the same to detect radiation are also described. An Infrared-to-visible upconversion device can include a photodetector and an OLED coupled to the photodetector.

公开(公告)号：EP0985234B1

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：EP97914537.2

申请日：1997-04-08

申请人： 3DV Systems Ltd.

发明人： YAHAV, Giora ,  IDDAN, Gavriel, J.

IPC分类号： H01L31/153

CPC分类号： H01L31/143

摘要： A solid-state optoelectronic shutter having an input and an output, comprising a semiconductor material, having formed therein or thereon: a planar photodiode (24), having a planar surface, and optically communicating with the input; a planar LED layer (26), having a planar surface substantially parallel to the planar photodiode, and optionally communicating with the output; and a planar gate layer (28), intermediate the planar photodiode and the planar LED.