公开(公告)号：EP0780891A1

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：EP96922271.0

申请日：1996-07-09

申请人： ROHM CO., LTD.

发明人： SAKAMOTO, Kazuhisa, Rohm Co., Ltd.

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L29/66295 ,  H01L21/263 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/08 ,  Y10S148/09 ,  Y10S148/092

摘要： Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device wherein a corpuscular beam is radiated to a semiconductor substrate to create crystal defects therein, characterized in that said semiconductor substrate is subjected to a heat treatment, e.g. for 1 second to 60 minutes, wherein rapid heating-up, e.g. raising temperature to 550 to 850 °C within 10 minutes, is done in a process prior to that of carrying out of the radiation with a corpuscular beam. By doing so, there is provided a semiconductor device which is free from degradation in electrical characteristics such as current amplification factor and has an increased switching speed, even where crystal defects are created through the radiation of corpuscular beam such as an electron beam to shorten the carrier lifetime. Thus, the inventive semiconductor device is satisfied by both requirements of switching speed and electrical characteristic.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，其中将粒子束辐射到半导体衬底以在其中产生晶体缺陷，其特征在于，对所述半导体衬底进行热处理，例如， 1秒至60分钟，其中快速加热，例如， 在10分钟内将温度提高到550〜850℃，在用红细胞束进行辐射之前的过程中进行。 通过这样做，提供了一种半导体器件，其即使在通过诸如电子束的粒子束的辐射产生晶体缺陷的情况下，也不会有诸如电流放大系数的电特性的劣化并具有增加的切换速度，从而缩短 载体寿命。 因此，本发明的半导体器件通过开关速度和电气特性的要求得到满足。

公开(公告)号：EP0780891A4

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：EP96922271

申请日：1996-07-09

申请人： ROHM CO LTD

发明人： SAKAMOTO KAZUHISA

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/30 ,  H01L29/732 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L29/66295 ,  H01L21/263 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/08 ,  Y10S148/09 ,  Y10S148/092

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device in which crystal defects are generated in a semiconductor crystal by irradiating a semiconductor substrate (1) with a particle beam. In the preceding process of the irradiation process, the substrate (1) is heat-treated such that the temperature of the substrate (1) is raised rapidly in ten minutes to 550-850 °C and maintained for one second to 60 minutes. Crystal defects are generated in the crystal by irradiating the crystal with such a particle beam as an electron beam, the life time of carriers is shortened, and accordingly the switching speed is increased, not lowering the electric characteristics such as the current amplification factor. Thus a semiconductor device having both a high switching speed and good electric characteristics is fabricated.

公开(公告)号：EP0780891B1

公开(公告)日：2003-05-02

申请号：EP96922271.0

申请日：1996-07-09

申请人： ROHM CO., LTD.

发明人： SAKAMOTO, Kazuhisa, Rohm Co., Ltd.

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66295 ,  H01L21/263 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/08 ,  Y10S148/09 ,  Y10S148/092

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device in which crystal defects are generated in a semiconductor crystal by irradiating a semiconductor substrate (1) with a particle beam. In the preceding process of the irradiation process, the substrate (1) is heat-treated such that the temperature of the substrate (1) is raised rapidly in ten minutes to 550-850 °C and maintained for one second to 60 minutes. Crystal defects are generated in the crystal by irradiating the crystal with such a particle beam as an electron beam, the life time of carriers is shortened, and accordingly the switching speed is increased, not lowering the electric characteristics such as the current amplification factor. Thus a semiconductor device having both a high switching speed and good electric characteristics is fabricated.

公开(公告)号：EP0317024B1

公开(公告)日：1994-06-15

申请号：EP88202559.6

申请日：1988-11-16

申请人： LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE PHILIPS ,  Philips Electronics N.V.

发明人： Chane, Jean-Paul Société Civile S.P.I.D. ,  Riglet, Philippe Société Civile S.P.I.D.

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  Y10S148/08

公开(公告)号：EP0317024A1

公开(公告)日：1989-05-24

申请号：EP88202559.6

申请日：1988-11-16

申请人： LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE PHILIPS ,  Philips Electronics N.V.

发明人： Chane, Jean-Paul Société Civile S.P.I.D. ,  Riglet, Philippe Société Civile S.P.I.D.

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  Y10S148/08

摘要： Procédé de réalisation d'un circuit intégré pour la détection du rayonnement infrarouge comprenant un substrat semi-isolant muni d'une photodiode PIN enterrée, d'un tran­sistor à effet de champ à jonction J-FET dont la grille est connectée à la photodiode PIN, et une résistance R connectée au transistor, ce procédé incluant la croissance d'une pre­mière structure de couches épitaxiales de matériaux semicon­ducteurs dans laquelle est formé le transistor J-FET, la croissance d'une seconde structure de couches épitaxiales de matériaux semiconducteurs dans laquelle est formée la diode PIN, et la gravure d'un puits dans lequel la seconde struc­ture de couches est réalisée, caractérisé en ce que la gra­vure du puits est réalisée après la croissance de la première structure de couches épitaxiales et est pratiquée à travers cette structure jusque dans le substrat, en ce que la crois­sance de la seconde structure de couches épitaxiales est loca­lisée de manière telle que cette seconde structure est limi­tée au puits et que sa surface supérieure est coplanaire avec celle de la première structure de couches.
Application : détecteur infrarouge intégré fonctionnant dans les domaines de longueur d'onde 1,3 ou 1,55 µm pour être utilisé en télécommunications.

摘要翻译： 用于制造用于检测红外辐射的集成电路的方法，包括设置有埋入PIN光电二极管的半绝缘基板，栅极连接到引脚光电二极管的JFET结场效应晶体管和连接到晶体管的电阻器R 包括生长其中形成JFET晶体管的半导体材料外延层的第一结构的生长，形成其中形成pin二极管的半导体材料外延层的第二结构的生长，以及其中 产生层的第二结构，其特征在于，在生长外延层的第一结构之后进行阱的蚀刻，并跨越该结构并进入衬底，因为外延层的第二结构的生长被定位 以这种方式使得该第二结构被限制在井中，并且其上表面与杉木的上表面共面 层的结构。 ...应用：集成红外探测器工作在1.3或1.55微米的波长范围内用于电信。 ... ...