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公开(公告)号:EP3913086B1
公开(公告)日:2024-07-17
申请号:EP20741465.7
申请日:2020-01-16
IPC分类号: C22C38/00 , C22C38/06 , C21D8/12 , C22C38/02 , C22C38/04 , C23C22/08 , C23C22/74 , H01F1/18 , C21D1/26 , C21D9/46 , C21D1/76 , C22C38/08 , C22C38/16 , C22C38/18 , C22C38/60 , H01F1/147
CPC分类号: C22C38/06 , C22C38/60 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/001 , C22C38/08 , C22C38/16 , C22C38/18 , C23C22/74 , C23C22/08 , H01F1/14783 , H01F1/18 , C21D8/1222 , C21D8/1233 , C21D8/1255 , C21D8/1272 , C21D8/1283 , C21D8/1288 , C21D2201/0520130101 , C21D8/12 , C21D9/46 , C21D1/26 , C21D1/76 , Y02P10/20 , C22C38/002
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公开(公告)号:EP3913076B1
公开(公告)日:2024-03-20
申请号:EP20740895.6
申请日:2020-01-16
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公开(公告)号:EP4261853A1
公开(公告)日:2023-10-18
申请号:EP22736629.1
申请日:2022-01-11
发明人: WU, Meihong , LI, Guobao , CHU, Shuangjie , ZHAO, Zipeng , LIU, Baojun , SHEN, Kanyi , YANG, Yongjie , HU, Zhuochao , JI, Yaming , LING, Chen
摘要: A manufacturing method for low-magnetostrictive oriented silicon steel is provided, wherein the oriented silicon steel comprises a silicon steel substrate and an insulating coating on the surface of the silicon steel substrate. The manufacturing method comprises: performing single-sided laser etching on the silicon steel substrate, wherein the side of the silicon steel substrate, on which single-sided laser etching is performed, is a first surface, and the side opposite to the first surface is a second surface; determining a deflection difference between the first surface and the second surface based on the power of the laser etching, and determining a difference in the amount of the insulating coatings on the first surface and the second surface based on the deflection difference; and forming insulating coatings on the first surface and the second surface. The amount of the insulating coating on the second surface is greater than that on the first surface, and the amount of the insulating coating on the first surface and that on the second surface satisfy the difference in the amount of the insulating coatings. By using the manufacturing method in the present invention, the problem of a relatively large magnetostrictive deviation between two sides of oriented silicon steel caused by single-sided laser etching can be solved. Oriented silicon steel manufactured by the aforementioned manufacturing method is also provided. A transformer iron core prepared using the oriented silicon steel enables a transformer to have low noise during operation.
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公开(公告)号:EP3913100B1
公开(公告)日:2023-08-30
申请号:EP20741725.4
申请日:2020-01-16
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公开(公告)号:EP4183027A1
公开(公告)日:2023-05-24
申请号:EP21786807.4
申请日:2021-09-29
发明人: SCHUH, Carsten , SOLLER, Thomas , VOLLMER, Rolf
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公开(公告)号:EP3596239B1
公开(公告)日:2023-01-25
申请号:EP18712186.8
申请日:2018-03-16
发明人: FLUCH, Ronald , KEPPERT, Timothy
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公开(公告)号:EP3255640B1
公开(公告)日:2022-11-02
申请号:EP16746335.5
申请日:2016-02-05
发明人: OMURA, Takeshi , INOUE, Hirotaka , OKABE, Seiji
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公开(公告)号:EP4027358A1
公开(公告)日:2022-07-13
申请号:EP21215751.5
申请日:2021-12-17
摘要: Eine weichmagnetische Legierung wird bereitgestellt, die 2 Gew.-% ≤ Co ≤ 30 Gew.-% 0,3 Gew.-% ≤ V ≤ 5,0 Gew.-% und Eisen aufweist. Die weichmagnetische Legierung weist einen Flächenanteil an einer {111} -Textur auf, der maximal 13%, vorzugsweise maximal 6%, beträgt, wobei Körner mit einer Verkippung von bis zu +/- 10° oder bevorzugt von bis zu +/- 15° gegenüber der nominellen Kristallorientierung eingeschlossen werden.
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公开(公告)号:EP4027357A1
公开(公告)日:2022-07-13
申请号:EP21215546.9
申请日:2021-12-17
摘要: In einem Ausführungsbeispiel ist eine FeCoV-Legierung mit der Zusammensetzung bereitgestellt, die im Wesentlichen aus 30 Gew. % ≤ Co ≤ 55 Gew. %, 0,4 Gew. % ≤ V ≤ 1,5 Gew. %, 0,04 Gew. % ≤ Nb ≤ 0,10 Gew. %, 0,0 Gew. % ≤ Ta ≤ 0,20 Gew. %, 0,04 Gew. % ≤ Nb + 0,5·Ta ≤ 0,15 Gew. %, max. 0,02 Gew. % C, 0,0 Gew. % ≤ Si ≤ 0,50 Gew. %, 0,0 Gew. % ≤ Al ≤ 0,50 Gew. %, max. 0,5 Gew. % Mn, max. 0,5 Gew. % Cr, max. 0,5 Gew. % Ni, max. 0,5 Gew. % W, max. 0,5 Gew. % Mo, max. 0,5 Gew. % Zr, Rest Fe, sowie bis zu 1 Gew. % weitere Verunreinigungen besteht, und die einen Phasenübergang von einem ferritischen α Phasengebiet in ein ferritisch/austenitisches α+γ Mischgebiet aufweist, der bei einer Übergangstemperatur T(α/α+γ) stattfindet, wobei T(α/α+γ) ≥ 900°C, vorzugsweise ≥ 920°C, vorzugsweise ≥ 940°C.
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