公开(公告)号：EP4441893A1

公开(公告)日：2024-10-09

申请号：EP22844337.0

申请日：2022-11-30

申请人： Texas Instruments Incorporated

发明人： HASHIM, Ahmed Essam ,  KANDASWAMY, Karthikeyan ,  BADARINATH, Abhishek

IPC分类号： H03K17/0812 ,  H03K17/082 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K17/0822 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/163 ,  H03K17/165

公开(公告)号：EP3989373B1

公开(公告)日：2024-07-17

申请号：EP20826817.7

申请日：2020-06-11

IPC分类号： H01R13/66 ,  H01R13/70 ,  H01R13/713 ,  H01R31/06 ,  H03K17/082 ,  H02J7/00

CPC分类号： H03K17/0822 ,  H01R13/70 ,  H01R13/7137 ,  H01R13/6683 ,  H03K2217/005420130101 ,  H01R31/065 ,  H01R2201/0620130101 ,  H02J2207/3020200101

公开(公告)号：EP4387101A1

公开(公告)日：2024-06-19

申请号：EP23211231.8

申请日：2023-11-21

申请人： Infineon Technologies Austria AG

发明人： BERNARDON, Derek ,  FERIANZ, Thomas

IPC分类号： H03K17/082 ,  H01L29/20 ,  G01R19/00

CPC分类号： H03K17/0822 ,  H01L29/2003 ,  H03K2217/002720130101 ,  G01R19/0092

摘要： A GaN (gallium nitride) die comprises: a first current sense terminal; a second current sense terminal; a main GaN power transistor; a GaN current sense transistor having a source electrically connected to a source of the main GaN power transistor; a diode device electrically connected in series between a drain of the main GaN power transistor and a drain of the GaN current sense transistor; a first voltage protection device electrically connecting the drain of the main GaN power transistor to the first sense terminal; and a second voltage protection device electrically connecting the drain of the GaN current sense transistor to the second sense terminal. A power electronics device that includes the GaN die is also described.

公开(公告)号：EP4377998A2

公开(公告)日：2024-06-05

申请号：EP22754357.6

申请日：2022-07-19

申请人： Airbus Defence and Space SAS

发明人： BUGAUT, Vincent ,  CHAPELET, Tony ,  DAM, Quang duc

IPC分类号： H01L23/62 ,  H03K17/082 ,  H02H5/00 ,  H02H3/06

CPC分类号： H02H5/005 ,  H01L23/62 ,  H03K17/082 ,  H03K2217/002720130101

公开(公告)号：EP3987661B1

公开(公告)日：2024-05-29

申请号：EP20747541.9

申请日：2020-06-05

IPC分类号： H03K17/082 ,  H03K17/74

CPC分类号： H03K17/0822 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/74

公开(公告)号：EP4360202A1

公开(公告)日：2024-05-01

申请号：EP22737376.8

申请日：2022-06-15

申请人： ALSTOM Holdings

发明人： VELANDER, Erik ,  JANSSON, Magnus ,  HOLMBERG, Johnny

IPC分类号： H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02M7/219 ,  H02M7/5387 ,  H03K17/081 ,  H03K17/0812 ,  H03K17/082

CPC分类号： H02M7/53873 ,  H02M1/08 ,  H02M1/325 ,  H02M7/219 ,  H03K2217/002720130101

公开(公告)号：EP4350919A2

公开(公告)日：2024-04-10

申请号：EP23200823.5

申请日：2023-09-29

申请人： STMicroelectronics (Rousset) SAS

发明人： CALANDRA, Antonio ,  CASTELLAN, Julia ,  BIENVENU, Philippe

IPC分类号： H02H9/00 ,  H02M1/36 ,  H03K17/081 ,  H03K17/082 ,  H02M1/32

摘要： La présente description concerne un procédé comprenant :
- l'application, par un circuit de commande (206), d'un premier signal d'impulsions, formé de premières impulsions consécutives de tension, vers la grille d'un transistor de puissance (202) alimentant une charge capacitive du circuit (104), les impulsions du premier signal d'impulsions étant séparées par un premier temps de repos ;
- suite à une ou plusieurs des impulsions du premier signal, une comparaison, par un comparateur (212), de la valeur de la tension (VbatA) à travers la charge capacitive avec une première valeur seuil de tension ( V out_th ) ; et
- si la première valeur seuil de tension est dépassée, l'application d'un deuxième signal d'impulsions, formé de deuxièmes impulsions consécutives de tension, vers la grille du transistor de puissance, les impulsions du deuxième signal d'impulsions étant séparées par un deuxième temps de repos inférieur au premier temps de repos.

公开(公告)号：EP4344065A1

公开(公告)日：2024-03-27

申请号：EP23197027.8

申请日：2023-09-13

申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS

发明人： SIMONNET, Jean-Michel ,  GUITTON, Fabrice

IPC分类号： H03K17/082

摘要： La présente description concerne un circuit de commande (100) d'un premier transistor (150) comprenant :
- une diode de suppression de tensions transitoires (D1) dont la cathode est adaptée à être reliée à une première borne de conduction du premier transistor (150), et dont l'anode est reliée à un premier noeud (A) ;
- une première résistance (R2) adaptée à relier le premier noeud (A) à une borne de commande du premier transistor (150) ;
- un deuxième transistor (T1) dont la borne de commande est reliée au premier noeud (A), dont une première borne de conduction est adaptée à recevoir une première tension d'alimentation (VCC), et dont une deuxième borne de conduction est adaptée à être reliée à la borne de commande du premier transistor (150),
dans lequel la tension d'alimentation (VCC) est inférieure à 20 V.

公开(公告)号：EP4338287A1

公开(公告)日：2024-03-20

申请号：EP22725148.5

申请日：2022-05-04

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： STOCKSTAD, Troy ,  VALENTINO, Gianluca ,  GONCALVES, Ricardo

IPC分类号： H03K17/082 ,  H03K17/10 ,  H03K17/74

公开(公告)号：EP4336730A1

公开(公告)日：2024-03-13

申请号：EP23194968.6

申请日：2023-09-01

申请人： Infineon Technologies Austria AG

发明人： RIGONI, Fabio ,  BERNACCHIA, Giuseppe

IPC分类号： H03K17/082 ,  H03K19/173 ,  H03K17/26

摘要： An apparatus may include an input pin\ and timing control circuitry coupled to the input pin. The timing control circuitry selectively executes one or more timing control functions based on a set of one or more hardware components coupled to the input pin. The set of one or more hardware components are disposed external to the apparatus. A configuration of the set of one or more hardware components determines which of one or more of the multiple timing control functions are enabled.