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    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE PHOTONIQUE
    2.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE PHOTONIQUE 审中-公开

    公开(公告)号：EP4286926A1

    公开(公告)日：2023-12-06

    申请号：EP23176231.1

    申请日：2023-05-30

    申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    发明人： SZELAG, Bertrand ,  HASSAN, Karim

    IPC分类号： G02F1/025 ,  H01L21/02

    摘要： Ce procédé comporte :
    - avant le collage d'un substrat sur une couche de matériau semi-conducteur encapsulé dans laquelle est réalisée une première partie d'un composant optique, la réalisation (91) de plots enfoncés à l'intérieur d'une couche enterrée en oxyde de silicium, chacun de ces plots comportant une face enfouie qui s'étend parallèlement à une interface entre la couche enterrée et la couche en matériau semi-conducteur encapsulé à une profondeur prédéterminée à l'intérieur de la couche enterrée, chacune des faces enfouies étant réalisée dans un matériau différent de l'oxyde de silicium, puis
    - l'amincissement (128) de la couche enterrée pour laisser subsister une couche résiduelle en oxyde de silicium sur la couche en matériau semi-conducteur encapsulé, cette amincissement comportant une opération d'amincissement de la couche enterrée avec arrêt de cet amincissement dès que la face enfouie des plots est mise à nue.

    PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT HAVING ARRAY OF PHOTONIC DEVICES
    6.
    发明公开
    PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT HAVING ARRAY OF PHOTONIC DEVICES 审中-公开

    公开(公告)号：EP4209832A1

    公开(公告)日：2023-07-12

    申请号：EP22215398.3

    申请日：2022-12-21

    申请人： II-VI Delaware, Inc.

    发明人： Melikyan, Argishti ,  Dong, Po ,  Chen, Jiashu

    IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/01 ,  G02F1/015

    摘要： A photonic integrated circuit (PIC) device has photonic devices arranged in an array with respect to control and common conductors. Each of the photonic devices has a photonic component (e.g., photodiode, thermo-optic phase shifter, etc.) and a switching diode connected in series with one another between a control connection and a common connection. The photonic component has at least one optical port, which can be coupled to a waveguide in the PIC device. The switching diode is configured to switch between reverse and forward bias in response to the electrical signals. In this way, control circuitry for providing control and monitoring signals to the conductors can be greatly simplified, and the PIC device can be more compact.

    SEMICONDUCTOR IQ MODULATOR
    8.
    发明公开
    SEMICONDUCTOR IQ MODULATOR 审中-公开

    公开(公告)号：EP4191326A1

    公开(公告)日：2023-06-07

    申请号：EP20948171.2

    申请日：2020-08-03

    申请人： Nippon Telegraph And Telephone Corporation

    发明人： OZAKI, Josuke ,  OGISO, Yoshihiro ,  HASHIZUME, Yasuaki ,  TANOBE, Hiromasa ,  ISHIKAWA, Mitsuteru

    IPC分类号： G02F1/025

    摘要： A semiconductor IQ optical modulator in which a phase modulation unit is configured by a differential capacitively loaded traveling-wave electrode structure based on an SS line configuration, phase modulation units of adjacent channels are spaced apart from each other by 400 µm or more, a distance between main signal lines of the capacitance loading type structure is 60 µm or less, a DC phase adjustment electrode and a PAD are provided between an I side phase modulation unit and a Q side phase modulation unit, the DC phase adjustment electrode is spaced apart by at least 80 µm or more from a signal line of the phase adjustment unit, and a crosstalk characteristic between the adjacent channels is -30 dB or less in a required frequency band.