公开(公告)号：JP2016522567A

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：JP2016506614

申请日：2014-04-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： ヴェンツェク，ピーター ,  剛直 根本 ,  剛直 根本 ,  博一 上田 ,  博一 上田 ,  勇気 小林 ,  勇気 小林 ,  正弘 堀込 ,  正弘 堀込

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L29/66803

Abstract: たとえばホスフィン又はアルシンのようなドーパントを基板表面にドーピングする方法及び装置。前記ドーピングは、基本的には不活性気体−たとえばヘリウム又はアルゴン−で構成されるプラズマによって実行される。ここで前記ドーパントは低濃度である。コンフォーマルなドーピングを供することで、好適には前記ドーパントの単分子層を生成するため、気体流導入位置が前記ドーピングプロセス中に切り換えられる。前記気体混合物は基本的に、第1期間中には前記プロセスチャンバ内の中央上部ポートを介して導入され、続いて前記気体混合物は基本的に、第2期間中には周辺又は端部注入ポートを介して導入される。前記切り換えは、プラズマプロセスとして交互に繰り返すようにして続けられる。

Abstract translation: 例如，对于掺杂掺杂剂如在基板表面上膦或胂的方法和装置。 掺杂是基本上惰性的气体 - 例如氦气或氩气 - 由组成的等离子体进行。 其中，所述掺杂剂为低浓度。 通过提供一种共形掺杂，优选地用于产生掺杂物的单层，该气流导入位置被在掺杂工艺改变。 在第一周期期间基本上气态混合物通过在所述处理室的顶部中心口导入，随后气体混合物基本上是，在第二时段期间外围或结束注射口 它通过引入。 开关继续，以便交替地作为等离子体处理。

公开(公告)号：JPWO2016104206A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：JP2016566120

申请日：2015-12-14

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 博一 上田 ,  博一 上田 ,  正浩 岡 ,  正浩 岡 ,  勇気 小林 ,  勇気 小林 ,  靖広 杉本 ,  靖広 杉本

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/335 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/78

Abstract: 被処理基板にドーパントを注入してドーピングを行うドーピング方法である。当該ドーピング方法によれば、プラズマドーピング処理時に供給するバイアス電力の値を、プラズマドーピング後に実施する洗浄処理を前提とした所定値に設定して、マイクロ波を用いて処理容器内にプラズマを発生させることで処理容器内の保持台に保持された被処理基板に対してプラズマドーピング処理を行う。