公开(公告)号：JPWO2017134853A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2016077843

申请日：2016-09-21

Applicant: 株式会社国際電気セミコンダクターサービス ,  株式会社KOKUSAI ELECTRIC

Inventor： 三好 秀幸 ,  藤井 悟史

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/677 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67769 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67265 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67781

Abstract: 基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、処理室内に基板保持具を搬送する搬送機構と搬送機構に基板保持具を移送する移送機構とが内部に配置され、処理室と連通可能に構成された準備室と、を有し、移送機構は、基板保持具を脱着する準備室の外部の脱着位置と、搬送機構に基板保持具を移載する準備室の内部の受け渡し位置と、の間で、基板を保持した一又は複数の基板保持具を移送するよう構成される。

公开(公告)号：JPWO2018051494A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2016077490

申请日：2016-09-16

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 佐々木 雅夫 ,  吉林 和俊 ,  佐藤 賢司 ,  村田 憲三

IPC: H01L21/324 ,  H05B7/144

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/046 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H05B3/145 ,  H05B3/24

Abstract: 加熱装置は、ヒータと、電子反射板と、前記ヒータと前記電子反射板との間に配置されたフィラメントと、前記フィラメントの第1端子および第2端子の間に交流電圧を供給して前記フィラメントから熱電子を放出させる加熱電源と、前記フィラメントと前記ヒータとの間に加速電圧を供給する加速電源と、前記電子反射板と前記加熱電源とを接続する経路を構成するように配置された抵抗器とを備える。

公开(公告)号：JP2017224845A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：JP2017156973

申请日：2017-08-16

Applicant: エーケーエイチエーエヌ テクノロジーズ インク ,  AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： ケーエイチエーエヌ、アダム

IPC: H01L29/868 ,  C30B29/04 ,  H01L21/329 ,  H01L29/167 ,  H01L21/265 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/0405 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/22 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002

Abstract: 【課題】ダイヤモンド半導体を作製するための新規でかつ改善されたシステムと方法を提供する。 【解決手段】本システムは、n型ドナー原子306を有するダイヤモンド材料とダイヤモンド格子304とを含む。ドナー原子306の0.16%は、100kPa、300Kでダイヤモンド格子304に対して770cm2/Vsより高い移動度を有する伝導電子に寄与する。ダイヤモンド半導体を作製する方法は、ダイヤモンド格子304を有するダイヤモンド材料を選択する工程と、イオン飛跡を生成するために最少量のアクセプタドーパント原子を前記ダイヤモンド格子304へ導入する工程と、前記イオン飛跡を介し置換ドーパント原子を前記ダイヤモンド格子304へ導入する工程と、ダイヤモンド格子304をアニールする工程とを含み得る。 【選択図】図3B

公开(公告)号：JP6251846B1

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：JP2017516970

申请日：2016-11-25

Applicant: 新電元工業株式会社

Inventor： 小笠原 淳 ,  本間 史浩

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/225 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/316 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半導体装置の製造方法は、pn接合が露出する露出面のうちn型半導体層が露出した第1露出領域にn型の不純物を供給する不純物供給工程と、第1露出領域にレーザ光を照射することで、n型の不純物をn型半導体層に導入して第1の深さまでチャネルストッパを形成するチャネルストッパ形成工程と、チャネルストッパが形成された露出面を覆うように酸化膜を形成し、第1の深さより深い第2の深さまでチャネルストッパの領域を拡大する酸化膜形成工程と、を含む。

公开(公告)号：JPWO2015186625A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：JP2016525141

申请日：2015-05-29

Applicant: 株式会社日本製鋼所

Inventor： 俊明 清野 ,  俊明 清野 ,  直之 小林 ,  直之 小林 ,  工藤　利雄 ,  利雄 工藤

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12

Abstract: 半導体の一表面上に不純物含有膜を形成する膜形成工程と、前記一表面側から前記半導体にレーザ光を照射して前記半導体表層を溶融する溶融工程とを有し、前記溶融工程において、溶融した前記半導体中に不純物がドーピングされて不純物の高濃度領域を形成することで前記ゲッタリング層を形成するので、高濃度の不純物を半導体表層にドーピングでき、溶融した半導体中に不純物が高濃度にドーピングされることで、不純物の高濃度領域が形成され、半導体表層にゲッタリング能力を付与することができる。さらにレーザ光の照射によって、低熱負荷の処理が可能となる。

公开(公告)号：JP6111572B2

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：JP2012201029

申请日：2012-09-12

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 北村 祥司

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/22 ,  H01L21/221 ,  H01L21/225 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/063 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/861

公开(公告)号：JP2016072628A

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：JP2015187788

申请日：2015-09-25

Applicant: コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ ,  COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： クレール、アグラフェーィユ

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26546 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/22 ,  H01L21/3245

Abstract: 【課題】改善されたGaNベースの半導体層を製造するための方法を提供すること。 【解決手段】本発明は、第1のドーパント不純物(3)により、ドープされ且つ活性化されたGaNベースの半導体層(1b)におけるドーパントの後活性化方法であって、次の連続的ステップ、すなわち、 前記ドープされ且つ活性化された基板(1)を提供するステップと、 半導体材料層(1b)の一部を除去するステップと を備える方法に関する。 【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造改进的GaN基半导体层的方法。解决方案：本发明涉及掺杂在GaN基半导体层（1b）中的掺杂剂的后活化方法，其中掺杂有第一掺杂杂质 （3）并被激活。 该方法包括以下连续步骤：提供掺杂和激活的衬底（1）; 并去除半导体材料层（1b）的一部分。选择的图示：图5

公开(公告)号：JP5749712B2

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：JP2012511904

申请日：2010-05-13

Applicant: ナノグラム・コーポレイション ,  NanoGram Corporation

Inventor： ウマ スリニバサン ,  チョウ シン ,  ヘンリー ヒースルメア ,  ニーラジ パカラ

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/228 ,  H01L21/268 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

公开(公告)号：JP5716742B2

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：JP2012520363

申请日：2011-05-31

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 豊田 善昭 ,  北村 明夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/08 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095

公开(公告)号：JP5708550B2

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：JP2012084901

申请日：2012-04-03

Applicant: 株式会社デンソー

Inventor： 河合 潤 ,  戸倉 規仁 ,  杉浦 和彦

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/22 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66068