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公开(公告)号:JPWO2011001767A1
公开(公告)日:2012-12-13
申请号:JP2011520838
申请日:2010-05-27
Applicant: 国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社
Inventor: 大見 忠弘 , 忠弘 大見 , 後藤 哲也 , 哲也 後藤 , 松岡 孝明 , 孝明 松岡 , 剛直 根本 , 剛直 根本 , 順之 村川 , 順之 村川 , 吉川 和博 , 和博 吉川
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6838
Abstract: ウェット処理装置は、ステージ上に被処理基板を保持し、前記ステージを回転させてウェット処理を行う。前記被処理基板は、その中心が前記ステージの回転中心からずらされ、かつ該被処理基板の裏面に不活性ガスを流すベルヌイチャックを用いて前記ステージに保持されることにより、前記ステージの回転とともに前記被処理基板が偏心回転する。前記ステージ内の回転軸部分に前記ベルヌイチャックに用いる第一のガス供給路が設けられ、前記ステージにはまた前記第一のガス供給路に連通し前記被処理基板の裏面へ不活性ガスを導入するための第二のガス供給路が前記被処理基板の中心軸に対して軸対称に設けられている。
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公开(公告)号:JP4690308B2
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:JP2006500903
申请日:2004-01-12
Applicant: トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス、 インコーポレイテッド , 東京エレクトロン株式会社
Inventor: エマニュエル・ギドティ , ガート・ルーシンク , 剛直 根本
IPC: H01L21/3065 , C23C16/02 , C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02046 , C23C16/0245 , C23C16/4405 , H01J37/321 , H01J37/32862 , H01L21/02063 , H01L21/76814 , Y02C20/30 , Y02P70/605
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公开(公告)号:JP2007535119A
公开(公告)日:2007-11-29
申请号:JP2006500903
申请日:2004-01-12
Applicant: トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド , 東京エレクトロン株式会社
Inventor: エマニュエル・ギドティ , ガート・ルーシンク , 剛直 根本
IPC: H01L21/3065 , C23C16/02 , C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02046 , C23C16/0245 , C23C16/4405 , H01J37/321 , H01J37/32862 , H01L21/02063 , H01L21/76814 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 半導体ウェーハ処理装置(10)のチャンバ(16)と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのICP電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で20%から80%の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。 本発明の実施形態では、Si及びSiO
2 汚染物質又はCFx汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト(46)から清掃される。 本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。-
公开(公告)号:JPWO2013164940A1
公开(公告)日:2015-12-24
申请号:JP2014513352
申请日:2013-04-05
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/265 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32449 , H01J2237/31705 , H01J2237/3365 , H01L21/2225
Abstract: 被処理基体にドーパントを注入する方法を提供する。一実施形態の方法は、(a)処理容器内に被処理基体を準備する工程と、(b)処理容器内に、AsH3を含むドーピングガス、不活性ガス、及び、H2ガスを供給し、当該処理容器内にプラズマ励起エネルギーを与えて、被処理基体にドーパントを注入する工程と、を含む。ドーパントを注入する工程においては、処理容器内におけるガスの全圧に対する水素の分圧の比が0.0015以上0.003以下に設定される。
Abstract translation: 为了提供注入掺杂剂到所述被处理基板的方法。 一个方法实施例包括在(a)中处理容器将被处理,在制备基底的步骤(b)的处理容器,含有砷化氢,惰性气体,和H 2气体的供应,所述掺杂气体 给等离子体激发能量到处理容器中,并且将被处理注入掺杂剂到衬底的步骤。 在注入掺杂剂的步骤中,氢气的分压与气体的处理容器内的总压力之比被设定为0.003 0.0015包容。
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公开(公告)号:JP2016522567A
公开(公告)日:2016-07-28
申请号:JP2016506614
申请日:2014-04-03
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/265 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
Abstract: たとえばホスフィン又はアルシンのようなドーパントを基板表面にドーピングする方法及び装置。前記ドーピングは、基本的には不活性気体−たとえばヘリウム又はアルゴン−で構成されるプラズマによって実行される。ここで前記ドーパントは低濃度である。コンフォーマルなドーピングを供することで、好適には前記ドーパントの単分子層を生成するため、気体流導入位置が前記ドーピングプロセス中に切り換えられる。前記気体混合物は基本的に、第1期間中には前記プロセスチャンバ内の中央上部ポートを介して導入され、続いて前記気体混合物は基本的に、第2期間中には周辺又は端部注入ポートを介して導入される。前記切り換えは、プラズマプロセスとして交互に繰り返すようにして続けられる。
Abstract translation: 例如,对于掺杂掺杂剂如在基板表面上膦或胂的方法和装置。 掺杂是基本上惰性的气体 - 例如氦气或氩气 - 由组成的等离子体进行。 其中,所述掺杂剂为低浓度。 通过提供一种共形掺杂,优选地用于产生掺杂物的单层,该气流导入位置被在掺杂工艺改变。 在第一周期期间基本上气态混合物通过在所述处理室的顶部中心口导入,随后气体混合物基本上是,在第二时段期间外围或结束注射口 它通过引入。 开关继续,以便交替地作为等离子体处理。
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公开(公告)号:JPWO2013125647A1
公开(公告)日:2015-07-30
申请号:JP2014500927
申请日:2013-02-21
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学
Inventor: 剛直 根本 , 剛直 根本 , 武尚 齊藤 , 武尚 齊藤 , 祐吾 富田 , 祐吾 富田 , 裕一 松本 , 裕一 松本 , 彰秀 白鳥 , 彰秀 白鳥 , 寺本 章伸 , 章伸 寺本 , ▲クン▼ 谷 , ▲クン▼ 谷
IPC: H01L21/321 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , H01J37/32192 , H01L21/02063 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02274 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3205 , H01L21/76801 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L23/53204 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 絶縁膜と配線部材との密着性及び信頼性の向上が図れる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。半導体装置100の製造方法では、半導体基板102上にCF膜106を成膜する工程と、CF膜106に配線パターンPに対応する溝部Cを形成する工程と、溝部Cに配線部材であるCu114を埋め込む工程と、を含む。
Abstract translation: 它提供了一种制造可提高绝缘膜和布线构件的粘附和可靠性的半导体器件的方法。 在半导体装置100的制造方法中,半导体衬底102上形成CF膜106,并形成对应于在CF膜106的布线图案P的槽℃的步骤中,将Cu114在凹槽下的配线部件 和的步骤中嵌入的。
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公开(公告)号:JP5364765B2
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:JP2011195150
申请日:2011-09-07
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: During the production of a semiconductor device having a Cu wiring line of a damascene structure, diffusion of fluorine from a CF film that serves as an interlayer insulating film is prevented in cases where a heat treatment is carried out, thereby suppressing increase in the leakage current. A semiconductor device of the present invention having a damascene wiring structure is provided with: an interlayer insulating film (2) that is formed of, for example, a fluorine-added carbon film; and a copper wiring line (4) that is embedded in the interlayer insulating film. A barrier metal layer (6) close to the copper wiring line and a fluorine barrier film (5) close to the interlayer insulating film are formed between the interlayer insulating film and the copper wiring line.
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公开(公告)号:JPWO2012011480A1
公开(公告)日:2013-09-09
申请号:JP2012525404
申请日:2011-07-20
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/38 , H01L21/31 , H01L21/768 , H01L23/532 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/342 , C23C16/511 , H01L21/02112 , H01L21/76801
Abstract: 機械的強度及び耐吸湿性に優れた低誘電率の層間絶縁層を形成することができる層間絶縁層形成方法を提供する。また、配線遅延を低減させた半導体装置を提供する。半導体装置の層間絶縁層をプラズマCVD法にて形成する方法において、減圧された処理容器内へ基板を搬入する工程と、前記基板から離隔した第1空間1aにプラズマ生成ガスを供給する工程と、前記第1空間1aにて前記プラズマ生成ガスを励起する工程と、前記第1空間1aと前記基板との間の第2空間1bに、少なくとも水素基又は炭化水素基を含むボロン化合物を含む原料ガスを供給する工程とを有する。また、ホウ素、炭素及び窒素を含むアモルファス構造が形成された層間絶縁層を介して多層配線された半導体装置において、前記層間絶縁層に、六方晶及び立方晶の窒化ホウ素を含むアモルファス構造中に炭化水素基又はアルキルアミノ基を混在させる。
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