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发明专利
単結晶3C−SiC基板の製造方法有权
Title translation: 用于生产单晶3C-SiC衬底的方法

公开(公告)号：JP5693946B2

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：JP2010286949

申请日：2010-12-24

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 浅村英俊 , 川村啓介 , 小原智

IPC: C30B25/14 , H01L21/205 , H01L21/20 , C30B29/36

CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/0237 , H01L21/02447 , H01L21/02494 , H01L21/02529 , H01L21/02614 , H01L21/02661 , Y10T428/24355

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