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    化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法
    1.
    发明专利
    化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法 有权
    用于生产化合物半导体衬底和化合物半导体衬底

    公开(公告)号：JP2017039622A

    公开(公告)日：2017-02-23

    申请号：JP2015162198

    申请日：2015-08-19

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 浅村 英俊 ,  大内 澄人 ,  川村 啓介

    IPC: H01L21/205 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/04 ,  C23C16/01 ,  C30B29/36

    Abstract: 【課題】高品質な3C−SiC層を備えた化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板SRは、(111)面で構成された表面を有する3C−SiC層1を含む。SiC層1の厚さWは2μm以上400μm以下であり、SiC層1の表面に対してX線照射により、(220)回折を検出できる条件で、φが0度から360度の範囲でφスキャンをした場合に、回折強度のφ依存性を示すグラフにおける1〜3番目に大きな回折強度を持つ回折ピークの平均強度を平均強度AV1とし、前記グラフにおける4〜6番目に大きな回折強度を持つ回折ピークの平均強度を平均強度AV2とした場合、2つの平均強度の割合(AV2/AV1)は、0より大きく0.5%以下である。 【選択図】図1

    Abstract translation: 本发明提供了一种化合物半导体衬底和具有高品质的3C-SiC层的化合物半导体衬底的制造方法。 的化合物半导体衬底SR包括具有（111）面构成的表面的3C-SiC层1。 的厚度W在SiC层1的是能够检测衍射的条件下为2μm以上400μm的或更小，在X射线照射到SiC层1的表面，（220），扫描范围φφ是0-360 的时，平均强度的衍射峰的具有图中的一个大的衍射强度1-3个表示衍射强度的φ依赖性和平均强度AV1，具有该图的一个大的衍射强度4-6级衍射 如果峰值的平均强度被定义为平均强度AV2，所述两个平均强度（AV2 / AV1）的比例为0.5％或更少大于0。 1点域

    化合物半導体基板の製造方法
    2.
    发明专利
    化合物半導体基板の製造方法 有权
    复合半导体基板的制造方法

    公开(公告)号：JP2015202990A

    公开(公告)日：2015-11-16

    申请号：JP2014083679

    申请日：2014-04-15

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 浅村 英俊 ,  川村 啓介 ,  長谷川 雅之

    IPC: C30B25/18 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

    Abstract: 【課題】製造過程で発生する基板の反りや破断を大幅に減少できる化合物半導体基板の製造方法の提供。 【解決手段】エピタキシャル成長によって基板1上に化合物半導体層2を成長させる化合物半導体基板2Aの製造方法であって、基板1は、化合物半導体層2を成長させることができる第1の面6Aと第2の面6Bを有し、第1の面と第2の面に挟まれた部分3を補強するための補強部4が設けられ、補強部4の厚みT4が、上記エピタキシャル成長によって成長させる化合物半導体層2の最終厚みT2よりも厚い厚みに設定されている。これにより、成長させる化合物半導体と基板1との間に格子定数や熱膨張係数の違いがあっても、最終厚みT2まで成長させた単結晶3C−SiC層に反りが発生するのを防止できる化合物半導体基板の製造方法。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够大大减少制造工艺中的基体的翘曲和断裂的化合物半导体基板的制造方法。解决方案：通过在制造方法中外延生长，在基板1上生长化合物半导体层2 的化合物半导体基板2A。 衬底1具有生长化合物半导体层2的第一面6A和第二面6B，以及加强部分3，以加强第一面和第二面之间的部分3。 加强部件4的厚度T4被设定为比通过外延生长生长的化合物半导体层2的最终厚度T2更厚。 即使要生长的化合物半导体的晶格常数和热膨胀系数各自不同于基板1的晶格常数和热膨胀系数，也可以防止生长到最终厚度T2的单晶3C-SiC层翘曲。

    半導体装置
    3.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019134176A

    公开(公告)日：2019-08-08

    申请号：JP2019068432

    申请日：2019-03-29

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 下崎 聡史 ,  川村 啓介 ,  浅村 英俊 ,  生川 満久

    IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/80 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338

    Abstract: 【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、HEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、主面1aおよび1bを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板1と、Si基板またはSOI基板1の主面1aに形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層4とを備える。Si化合物半導体層4は、pn接合を構成するp型半導体層3とn型半導体層5とを含む。 【選択図】図1

    半導体装置
    5.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2016031997A

    公开(公告)日：2016-03-07

    申请号：JP2014153236

    申请日：2014-07-28

    Applicant: エア・ウォーター株式会社

    Inventor： 下崎 聡史 ,  川村 啓介 ,  浅村 英俊 ,  生川 満久

    IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/20 ,  H01L29/80

    Abstract: 【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、HEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、主面1aおよび1bを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板1と、Si基板またはSOI基板1の主面1aに形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層4とを備える。Si化合物半導体層4は、pn接合を構成するp型半導体層3とn型半導体層5とを含む。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高耐压的半导体器件。解决方案：半导体器件是HEMT（高电子迁移率晶体管），并且包括：Si衬底或SOI（绝缘体上硅）衬底1，其中 具有主表面1a和1b; 以及在Si衬底或SOI衬底1的主表面1a上形成的Si化合物半导体层4，其由作为宽间隙半导体的Si化合物构成。 Si化合物半导体层4包括p型半导体层3和配置pn结的n型半导体层5.选择的图：图1

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