公开(公告)号：JP2021536425A

公开(公告)日：2021-12-27

申请号：JP2021512792

申请日：2019-09-06

申请人： クレメナク ナノテック,インク.

发明人： クレメナク,ジェシー

IPC分类号： C01B33/18 ,  C30B35/00 ,  C30B29/66 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B29/08 ,  C30B29/36 ,  C01B33/02

摘要： 【解決手段】本開示は、官能性の粉末粒子、および官能性の粉末粒子を形成する方法を提供する。官能化は、粉末粒子上に一次構造体および/または二次構造体の形成によって得られる。官能化は、広範囲の物理的および/または化学的性質の変動をもたらすために制御することができる。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6986872B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2017123204

申请日：2017-06-23

申请人： 昭和電工株式会社

发明人： 増田 竜也

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  H01L21/683 ,  C23C16/458

公开(公告)号：JP6981469B2

公开(公告)日：2021-12-15

申请号：JP2019519103

申请日：2018-04-03

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 本家 翼 ,  沖田 恭子

IPC分类号： C30B25/20 ,  C23C16/42 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

公开(公告)号：JP6980201B2

公开(公告)日：2021-12-15

申请号：JP2020099758

申请日：2020-06-09

申请人： 学校法人関西学院 ,  豊田通商株式会社

发明人： 金子 忠昭 ,  久津間 保徳 ,  芦田 晃嗣 ,  橋本 遼

IPC分类号： C30B25/20 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

公开(公告)号：JP2021187728A

公开(公告)日：2021-12-13

申请号：JP2020141275

申请日：2020-08-24

申请人： エスケイシー・カンパニー・リミテッド ,  SKC CO., LTD.

发明人： ジャン、ビョンキュ ,  パク、ジョンフィ ,  ヤン、ウンス ,  チェ、ジョンウ ,  コ、サンキ ,  ク、カプレル ,  キム、ジュンギュ

IPC分类号： C30B23/06 ,  C30B29/36

摘要： 【課題】インゴット中心と縁の高さの偏差を最小化し、結晶品質を向上させる炭化珪素インゴット製造方法、及び炭化珪素インゴット製造用システムの提供。 【解決手段】インゴットを成長させるステップにおいて、加熱手段600を所定の速度で移動させることで、反応容器の内部の温度分布をインゴットの成長に応じて変化させる製造方法。さらに、該製造方法に関する製造システムおよび得られる炭化珪素を提供する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021187697A

公开(公告)日：2021-12-13

申请号：JP2020093064

申请日：2020-05-28

申请人： 住友金属鉱山株式会社

发明人： 西村 英一郎

IPC分类号： C30B25/20 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

摘要： 【課題】反りの発生を抑制できるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 【解決手段】ドーパントを有するSiC単結晶成膜用基板10表面に化学的気相成長法によりSiC単結晶膜20をエピタキシャル成長させてSiC単結晶基板200を製造する方法において、上記単結晶成膜用基板10が配置された成膜室内に原料ガスとドーパントガスを含む混合ガスを供給し、その供給比率を調整して単結晶成膜用基板10の表面に該基板10よりドーパント濃度が低い第一SiC単結晶膜21を成長させる第一成膜工程と、成膜室内に原料ガスとドーパントガスを含む混合ガスを供給し、その供給比率を調整して第一SiC単結晶膜21表面に上記単結晶成膜用基板10よりドーパント濃度が高い第二SiC単結晶膜22を成長させる第二成膜工程を有することを特徴とする。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021180225A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2020083994

申请日：2020-05-12

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 曲 偉峰 ,  井川 静男 ,  砂川 健

IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B29/36 ,  C30B25/18 ,  C23C16/42 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

摘要： 【課題】 シリコン単結晶基板上に、低欠陥で結晶性が高く、厚膜のSiC単結晶膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 表面にSiC単結晶膜を有する半導体基板の製造方法であって、シリコン単結晶基板の表面に炭素を付着させる工程と、前記炭素を付着させた前記シリコン単結晶基板の表面を炭化してSiC単結晶下地膜を形成する工程と、前記SiC単結晶下地膜上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記SiC単結晶下地膜を種結晶として、固相成長により前記アモルファスシリコン膜をSiC単結晶膜とする工程とを含む半導体基板の製造方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6964388B2

公开(公告)日：2021-11-10

申请号：JP2015203702

申请日：2015-10-15

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 沖田 恭子

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/36

公开(公告)号：JP6958041B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2017133415

申请日：2017-07-07

申请人： セイコーエプソン株式会社

发明人： 渡邉 幸宗 ,  川名 功泰

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B29/04 ,  C30B29/36

公开(公告)号：JP6954316B2

公开(公告)日：2021-10-27

申请号：JP2019000709

申请日：2019-01-07

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 堀 勉 ,  伊東 洋典

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36