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公开(公告)号:JP6419414B2
公开(公告)日:2018-11-07
申请号:JP2013059833
申请日:2013-03-22
Applicant: 株式会社東芝
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/861 , C30B29/36
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L29/045 , H01L29/66068 , H01L29/7827
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公开(公告)号:JP6341943B2
公开(公告)日:2018-06-13
申请号:JP2016033657
申请日:2016-02-24
Applicant: インフィネオン テクノロジーズ アーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: イルジーグラー, ペーター , コンラート, イェンス ペーター , シュルツェ, ハンス−ヨアヒム
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02002 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0475 , H01L21/30612 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
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公开(公告)号:JP6271309B2
公开(公告)日:2018-01-31
申请号:JP2014057283
申请日:2014-03-19
Applicant: 株式会社東芝
IPC: H01L29/868 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/0445 , H01L21/26506 , H01L29/32 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/8613
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公开(公告)号:JP6137165B2
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:JP2014262746
申请日:2014-12-25
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: H01L21/265 , H01L21/20 , H01L27/146 , H01L21/322
CPC classification number: H01L21/26566 , H01L21/02005 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/26513 , H01L21/3221 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L21/324
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公开(公告)号:JPWO2016051975A1
公开(公告)日:2017-04-27
申请号:JP2015560471
申请日:2015-08-18
Applicant: 住友電気工業株式会社
Inventor: 太郎 西口 , 太郎 西口 , 和田 圭司 , 圭司 和田 , 潤 玄番 , 潤 玄番 , 洋典 伊東 , 洋典 伊東 , 土井 秀之 , 秀之 土井 , 健二 平塚 , 健二 平塚
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/02658
Abstract: 炭化珪素エピタキシャル基板(100)は、炭化珪素単結晶基板(10)と、炭化珪素単結晶基板(10)上に、エピタキシャル層(20)と、を備える。炭化珪素単結晶基板(10)の直径は、100mm以上である。エピタキシャル層(20)の厚さは、10μm以上である。エピタキシャル層(20)のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1016cm-3以下である。エピタキシャル層(20)の面内でのキャリア濃度の平均値に対する、同面内でのキャリア濃度の標準偏差の比率は、10%以下である。エピタキシャル層(20)は、主表面(21)を有する。主表面(21)の三次元表面粗さ測定における算術平均粗さSaは、0.3nm以下である。主表面(21)において、貫通らせん転位に起因するピットの面密度は、1000個cm-2以下である。ピット(2)内において、主表面(21)からの最大深さは、8nm以上である。
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公开(公告)号:JP5945505B2
公开(公告)日:2016-07-05
申请号:JP2012544255
申请日:2011-11-15
Applicant: HOYA株式会社
IPC: C30B25/18 , H01L21/205 , C30B29/36
CPC classification number: H01L21/02529 , C30B29/36 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02658 , H01L29/1608
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公开(公告)号:JP5844909B2
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:JP2014532411
申请日:2012-09-28
Applicant: サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス)
Inventor: アブデルカリ ウルジ
IPC: C01B31/02
CPC classification number: H01L21/02527 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0446 , C01B31/0461 , H01L21/02104 , H01L21/02376 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02612 , H01L29/1606
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公开(公告)号:JP5829508B2
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:JP2011275589
申请日:2011-12-16
Applicant: 株式会社豊田自動織機 , 国立大学法人名古屋大学
IPC: C30B19/12 , H01L21/205 , H01L21/208 , C30B29/36
CPC classification number: C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
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公开(公告)号:JP5757195B2
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:JP2011181405
申请日:2011-08-23
Applicant: セイコーエプソン株式会社
Inventor: 島田 浩行
IPC: H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/66068 , H01L29/7835 , H01L29/0692 , H01L29/42368
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公开(公告)号:JP2015126024A
公开(公告)日:2015-07-06
申请号:JP2013267721
申请日:2013-12-25
Applicant: 株式会社豊田自動織機 , 株式会社サイコックス , 須田 淳
CPC classification number: H01L21/02529 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02598 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/1608
Abstract: 【課題】複数種類の半導体層が表面に表出している半導体基板を提供すること。 【解決手段】半導体基板は、支持基板と、支持基板の表面に配置されている単結晶の第1半導体層と、第1半導体層の表面の一部に配置されている単結晶の第2半導体層と、第2半導体層が配置されていない第1半導体層の表面に配置されている単結晶の第3半導体層と、を備えている。第3半導体層は、第1半導体層と結晶方位が揃っており、第1半導体層と同一材料で形成されている。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供在其表面上出现多种半导体层的半导体衬底。解决方案:半导体衬底包括:支撑衬底; 布置在所述支撑基板的表面上的单晶第一半导体层; 布置在第一半导体层的表面的一部分处的单晶第二半导体层; 以及布置在不布置第二半导体层的第一半导体层的表面上的单晶第三半导体层。 第三半导体层具有与第一半导体层相同的晶体取向,并且由与第一半导体层相同的材料形成。
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