公开(公告)号：JP2020161451A

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：JP2019062915

申请日：2019-03-28

Applicant: 株式会社日立ハイテク

Inventor： 吉成 清美 ,  杉山 益之 ,  橋本 雄一郎 ,  今村 伸

IPC: H01J43/06 ,  G01N27/62 ,  H01J49/06

Abstract: 【課題】負イオンがシンチレータに直接衝突することを回避可能で、シンチレータの劣化防止、シンチレータの長寿命化、省メンテナンス化、正負両イオンの高感度検出が可能なイオン検出装置を実現する。 【解決手段】正イオン用CD52の中心点63と対向電極54の中心点64を結ぶ基準線65対し負イオン用CD53の中心点66がシンチレータ56の中心点67のある側の領域とは逆側の領域に配置する。イオン進入口62から入射した正イオンは偏向力を受け正イオン用CD52に衝突し発生した二次電子はシンチレータ56に衝突し光が発生しライトガイド59を経て光電子増倍管58で検出される。基準線65に沿って負電位ポテンシャル障壁が生成され、イオン進入口62から入った負イオンは負イオン用CD53に引き寄せられ衝突し生成された正イオンは正イオン用CD52に衝突し発生した二次電子はシンチレータ56に衝突し光電子増倍管58で検出される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6739207B2

公开(公告)日：2020-08-12

申请号：JP2016069943

申请日：2016-03-31

Applicant: 株式会社日立ハイテク

Inventor： 關口 好文 ,  今村 伸 ,  川野 源 ,  ホック シャヘドゥル

IPC: H01J37/244