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公开(公告)号：JP2020087952A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018214241
申请日：2018-11-14
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有する本発明のサーミスタ膜およびサーミスタ素子の提供。また、このようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法の提供。 【解決手段】第1電極の上に、サーミスタ膜を形成する工程、前記サーミスタ膜の第1電極側の面の反対側に、第2電極を形成する工程を経て、膜厚1μm以下のサーミスタ膜と、前記サーミスタ膜の第1面側に配置されている第1電極と、前記サーミスタ膜の第1面の反対側に位置している第2面側に配置されている第2電極と、を有することを特徴とするサーミスタ素子。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020087951A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018214240
申请日：2018-11-14
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有する本発明のサーミスタ膜およびサーミスタ素子の提供。また、このようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。 【解決手段】サーミスタ素子100において、第1電極51の上に、少なくともMnを含む第1の結晶性酸化物からなる第1のサーミスタ膜と、少なくともMnを含む第2の結晶性酸化物からなる第2のサーミスタ膜とが積層されている積層構造体であって、第1の結晶性酸化物中のMn量が、第2の結晶性酸化物中のMn量よりも大きい積層構造体を形成する工程、前記積層構造体の第1電極側の面の反対側に、第2電極52を形成する工程を経る。前記積層構造体と、前記積層構造体膜50の第1面側に配置されている第1電極51と、前記積層構造体膜の第1面の反対側に位置している第2面側に配置されている第2電極52と、を有することを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020077718A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2018209290
申请日：2018-11-06
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して金属源を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】金属源を基体に接触させることにより前記基体に前記金属源を担持させる方法であって、前記基体が、表面の一部または全部に平均孔径が100nm以下の多孔質層を含み、前記金属源が前記平均孔径よりも小さく、前記接触を、減圧下で前記金属源と溶媒とを含む原料溶液に前記基体を含浸させて前記多孔質層の孔内に前記金属源を担持させることにより行って、金属源を基体に担持させる。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019038718A
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2017161675
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B25/02 , C23C16/448 , C23C16/40 , C30B29/16
Abstract: 【課題】表面平滑性に優れ、光学電気特性に優れた単結晶膜を工業的有利に製造できる方法を提供する。 【解決手段】二価の周期律表第14族金属のハロゲン化物および溶媒として水を含む原料溶液を用いて、結晶成長により、正方晶の結晶構造を有する基板上に、実質的に炭素を含まないコロンバイトの結晶構造を有する単結晶を形成する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6950137B2
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：JP2017232109
申请日：2017-12-01
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: B05D3/02 , C01B32/156 , C23C16/26 , C23C16/448 , B05D1/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020104084A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018248388
申请日：2018-12-28
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して色素を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】色素を基体14に接触させることにより前記基体に前記色素を担持させる方法であって、前記基体が、表面の一部または全部に平均孔径が100nm以下の多孔質層を含み、前記色素が前記平均孔径よりも小さく、前記接触を、減圧下で前記色素と溶媒とを含む原料溶液18に前記基体を含浸させて前記多孔質層の孔内に前記色素を担持させることにより行って、色素を基体に担持させる。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2020087950A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018214239
申请日：2018-11-14
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有するサーミスタ膜およびサーミスタ素子並びにこのようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。 【解決手段】サーミスタ素子100の製造方法は、第1電極51の上に、結晶性酸化物を含み、電気抵抗率が100kΩcm以下であるサーミスタ膜50を形成する工程及びサーミスタ膜50の第1電極側の面の反対側に、第2電極52を形成する工程を含む。サーミスタ素子100は、サーミスタ膜50と、サーミスタ膜50の第1面側に配置されている第1電極51と、サーミスタ膜50の第1面の反対側に位置している第2面側に配置されている第2電極52と、を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020087948A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018214237
申请日：2018-11-14
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有するサーミスタ膜およびサーミスタ素子並びにこのようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。 【解決手段】サーミスタ素子100の製造方法は、第1電極51の上に、結晶性酸化物結晶性酸化物を含み、結晶性酸化物がCu 3 Mn 3 O 8 構造を有するサーミスタ膜50を形成する工程及びサーミスタ膜50の第1電極側の面の反対側に、第2電極52を形成する工程を含む。サーミスタ素子100は、サーミスタ膜50と、サーミスタ膜50の第1面側に配置されている第1電極51と、サーミスタ膜50の第1面の反対側に位置している第2面側に配置されている第2電極52と、を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020077719A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2018209291
申请日：2018-11-06
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して金属源を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】金属源を基体に接触させることにより前記基体に前記金属源を担持させる方法であって、前記接触を、減圧下(例えば、100Pa〜90000Pa)で前記金属源と非プロトン性極性溶媒(例えば、ジメチルホルムアミド)とを含む原料溶液に前記基体を含浸させることにより行って、金属源を基体に担持させる。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019118910A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2018242165
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 【課題】高温環境下での熱による経時劣化が抑制され、熱的安定性に優れた有機膜を工業的有利に成膜することができる新規な成膜方法を提供する。 【解決手段】有機化合物と溶媒とを少なくとも含む原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴を用いて基体上に有機膜を成膜する方法において、前記溶媒の沸点が150℃以上であり、前記成膜を、前記溶媒の沸点以上の温度で前記ミストまたは前記液滴を前記基体上で熱反応させることにより、前記基体上に有機膜を成膜する。 【選択図】なし
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