プラズマ処理装置
    22.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019119896A

    公开(公告)日:2019-07-22

    申请号:JP2017253365

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 【課題】ワークが変形した場合にワークに電圧を印加してプラズマ処理を行うと、ワークへの電圧印加が不安定になる。 【解決手段】 プラズマ処理装置は、ワークの上面側の処理対象部分が配置される第1窪み部と、第1周縁部と、を備える第1の型と、第1の型に対向して配置され、下面側の処理対象部分が配置される第2窪み部と、第2周縁部と、を備える第2の型と、を有する真空容器と、処理対象部分において開口する開口部と、開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が第1周縁部と第2周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触してワークを支持する支持部材と、支持部材と真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備える。支持部材の平面部には、第1窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている。 【選択図】図1

    成膜装置
    23.
    发明专利
    成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2018111866A

    公开(公告)日:2018-07-19

    申请号:JP2017003469

    申请日:2017-01-12

    Abstract: 【課題】電極の変形を抑制しながら、プラズマ強度の低下を抑制することができる成膜装置の提供。 【解決手段】ワークを収容し、内部に原料ガスが導入される成膜容器と、成膜容器内に設けられ、貫通孔421が形成された電極42と、ワークと電極42間に電力を供給して成膜容器内の原料ガスをプラズマ化させるための電源と、一端が成膜容器の壁面に固定され、他端が貫通孔421に係合する支持部材44と、を備え、支持部材44は、貫通孔421の内周面に当接して電極42を支持する支柱本体441と、電極42の面方向に延在して貫通孔421の一方側の面を閉じる縦壁442と、を有する成膜装置。 【選択図】図2

    成膜装置の制御方法
    24.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018040040A

    公开(公告)日:2018-03-15

    申请号:JP2016174867

    申请日:2016-09-07

    Abstract: 【課題】排気ダクトの気密性低下を抑制することが可能な成膜装置の制御方法を提供すること。 【解決手段】本発明に係る成膜装置の制御方法は、第1チャンバー11と、第2チャンバー12と、排気ポンプ15と、連結部16と、第1排気ダクト13と、第2排気ダクト14と、第1シャットバルブS13と、第2シャットバルブS14と、第1調圧バルブA13と、第2調圧バルブA14と、を備える成膜装置の制御方法である。本発明に係る成膜装置の制御方法は、第1チャンバー11による第1成膜期間と第2チャンバー12による第2成膜期間とを交互に実施し、第1成膜期間後から第2成膜期間前において第1調圧バルブA13を閉じ、第1調圧バルブA13を閉じた後に第1シャットバルブS13を閉じることを特徴とする。 【選択図】図1

    プラズマ成膜方法
    25.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018031065A

    公开(公告)日:2018-03-01

    申请号:JP2016165624

    申请日:2016-08-26

    Abstract: 【課題】基材を真空予備室から成膜室へ搬送する際に、基材が落下することを抑制することができるプラズマ成膜方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るプラズマ成膜方法は、基材Wを吊った状態で真空保持可能な真空予備室LCに基材Wを搬入する工程と、真空予備室LCを真空状態に保持して加熱装置により基材Wを加熱する工程と、真空予備室の圧力P LC が前記成膜室の圧力P PC より大きくなるように真空予備室LCにガスを供給した後、ゲートバルブGVを開いて基材Wを成膜室PCに移動させる工程とを有する。 【選択図】図2

    プラズマ成膜方法
    26.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018016846A

    公开(公告)日:2018-02-01

    申请号:JP2016147755

    申请日:2016-07-27

    Abstract: 【課題】 ワークの予備加熱中にワークの温度を正確に検出する。 【解決手段】 成膜室におけるプラズマ存在下でのワークへの薄膜形成に先立ってワークを予備加熱室で予備加熱する。このとき、予備加熱室に設置された基材の温度を基材に接続された熱電対を用いてワークの予備加熱の最中に検出し、ワークの温度と基材の温度との間の予め求められた相関関係を示すマップデータ70に基づいて、基材の検出温度からワークの温度を推定する。 【選択図】 図4

    成膜方法及び成膜装置
    27.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017197781A

    公开(公告)日:2017-11-02

    申请号:JP2016086812

    申请日:2016-04-25

    Inventor: 飯塚 和孝

    Abstract: 【課題】成膜容器やワークにシール部材を設けて成膜を行う場合において、成膜不良を抑制する。 【解決手段】成膜装置は、第1窪み部と第1窪み部の周囲に配置された第1平面部とを有し第1窪み部の底部に排気口を備える第1の型と、第1の型に対向して配置された第2の型と、を有する成膜容器と、第1の型の第1平面部と第2の型との間に配置され成膜容器内の気密を保つシール部材と、排気口に接続された排気装置と、を備え、ワークは第1平面部から離間され、かつ、ワークの被成膜対象部分は成膜容器が閉じた状態において第1窪み部内の空間に向けられ、方法は(a)成膜装置によりワークの一部に成膜を行う工程と、(b)工程(a)の後に、成膜容器を開く工程と、(c)工程(b)が開始される際に、排気装置により排気口を介して成膜容器内を排気する工程と、を備える。 【選択図】図4

    半導体装置
    28.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号:JP2016062917A

    公开(公告)日:2016-04-25

    申请号:JP2014186971

    申请日:2014-09-12

    CPC classification number: H01L2224/33 H01L2924/181

    Abstract: 【課題】本明細書は、パワーカードと冷却部材の間にグリスが塗布された半導体装置に関し、グリス抜けによる冷却性能の低下を抑制する技術を提供する。 【解決手段】本明細書が開示する半導体装置2は、半導体素子を収容したパワーカードにグリスを挟んで冷却部材が接しているとともにパワーカードと冷却部材が密着するようにそれらの積層方向に荷重が加えられている。パワーカードは、冷却部材と対向する面に放熱板を備えている。互いに対向する冷却部材と放熱板のいずれか一方の表面に、複数の渦巻き状の溝が二次元的に配置されている。二次元的に配置された複数の渦巻き状の渦が、グリスの流出を低減する。 【選択図】図5

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种技术,以抑制在将功率卡和冷却构件之间的间隙施加润滑脂的半导体装置中的润滑脂泄漏引起的冷却性能的劣化。解决方案:在公开的半导体装置2中, 本说明书中,冷却部件与润滑脂接触,存储半导体元件的电源卡,并且在电源卡和冷却部件的层叠方向上施加负载,使得电源卡和冷却部件粘在一起 。 功率卡在与冷却构件相对的表面上具有散热器。 在冷却构件和散热器中的彼此相对的表面上,多个螺旋槽被二维布置。 多个螺旋槽被二维排列以减少油脂的流出。图5:

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