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公开(公告)号：JP2019107681A
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2017243095
申请日：2017-12-19
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: B23K26/70 , H01L21/301 , B23K26/08
Abstract: 【課題】レーザー加工装置が移動ユニットを複数有する場合に、各移動ユニットで保持される基板の処理精度を向上できる、レーザー加工装置の提供。 【解決手段】基板を保持する基板保持部、前記基板保持部の基板保持面に対し平行な方向に前記基板保持部を移動させる駆動部、および前記駆動部を支持するベース部を含む移動ユニットを間隔をおいて複数有し、レーザー光線を発振するレーザー発振器、および前記基板保持部で保持されている前記基板に前記レーザー光線を集光照射する集光照射部を有し、互いに離間して設置される複数の前記移動ユニットの間での振動の伝達経路の途中に、前記振動を吸収する防振部を有する、レーザー加工装置。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP6956788B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2019527639
申请日：2018-06-25
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/301
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公开(公告)号：JPWO2020054504A1
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2019034563
申请日：2019-09-03
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 田之上 隼斗
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , B23K26/53
Abstract: 処理対象体を処理する処理システムであって、前記処理対象体の内部に面方向に内部面改質層を形成する改質装置と、前記内部面改質層を基点に前記処理対象体を分離する分離装置と、を有し、前記改質装置は、前記処理対象体の内部に複数のレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記レーザ照射部と前記処理対象体を相対的に移動させる移動機構と、を有し、前記移動機構によって前記レーザ照射部からの前記複数のレーザ光を前記処理対象体に対して相対的に移動させて、前記内部面改質層を形成する。
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公开(公告)号：JPWO2020017599A1
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2019028310
申请日：2019-07-18
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , B23K26/53 , H01L21/304
Abstract: 基板を処理する基板処理システムであって、第1の基板の表面と第2の基板の表面が接合された重合基板に対し、前記第1の基板の内部において面方向に中心部から少なくとも当該第1の基板の除去対象の周縁部に向けて延伸する内部面改質層を形成する第1の改質装置と、前記第1の基板の内部において、前記周縁部と中央部との境界に沿って厚み方向に延伸する周縁改質層を形成する第2の改質装置と、前記内部面改質層を基点に前記第1の基板の裏面側を分離する分離装置と、有する。
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公开(公告)号：JPWO2019208359A1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JP2019016467
申请日：2019-04-17
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 田之上 隼斗
IPC: H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/02
Abstract: 基板を処理する基板処理システムであって、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板における、前記第1の基板の偏心を検出する偏心検出装置と、前記第1の基板における除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成装置と、前記改質層を基点に前記周縁部を除去する周縁除去装置と、を有する。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021019056A
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2019133040
申请日：2019-07-18
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: B23K26/53 , H01L21/304
Abstract: 【課題】処理対象体の分離処理を適切に行う。 【解決手段】処理対象体を処理する処理装置であって、前記処理対象体の内部にレーザ光を照射して、面方向に沿って複数の改質層を形成する改質部と、少なくとも前記改質部の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記処理対象体の内部に、複数の内部面改質層と、前記内部面改質層の径方向内側において、直線状に形成される複数の中心改質層と、を形成するように前記改質部を制御する。 【選択図】図20
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公开(公告)号：JPWO2019039432A1
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2018030652
申请日：2018-08-20
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/02
Abstract: 紫外線照射により接着性が低下する接合部材を介して紫外線透過性の支持基板と被処理基板とが接合された重合基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、前記支持基板側から紫外線を照射する照射工程と、前記被処理基板の前記接合部材とは反対側の面にダイシングテープを貼り付け、ダイシングフレームに固定する固定工程と、前記重合基板から前記支持基板を取外す取外し工程と、前記重合基板から前記接合部材を剥離する剥離工程と、を含み、前記照射工程後に前記固定工程を行い、前記取外し工程後に前記剥離工程を行う。
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公开(公告)号：JPWO2019009123A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018024003
申请日：2018-06-25
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/301
Abstract: 基板処理方法は、基板のデバイス層が形成される側の第1主表面に支持基板を接着する支持基板接着工程と、前記支持基板接着工程にて前記支持基板を接着された前記第1主表面とは反対側の第2主表面から前記基板のステルスダイシングを行うダイシング工程と、前記ダイシング工程にてステルスダイシングが行われた前記基板の前記第2主表面を研削して前記基板を薄板化する薄板化工程と、を有する。
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公开(公告)号：JPWO2020170597A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2019050391
申请日：2019-12-23
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 田之上 隼斗
IPC: H01L21/02 , B23K26/53 , B23K26/351 , H01L21/304
Abstract: 基板を処理する基板処理装置であって、前記基板の表面には表面膜が形成され、前記基板処理装置は、改質層の形成予定領域である前記基板の外周部における前記表面膜を処理して、第1の処理領域を形成する第1の表面処理部を備え、前記第1の処理領域においては、少なくとも前記基板の表面が露出する深さまで、前記表面膜が除去される。
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公开(公告)号：JPWO2020129730A1
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2019048087
申请日：2019-12-09
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , B23K26/53 , H01L21/304
Abstract: 基板を処理する基板処理装置であって、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成する内部面改質部と、前記保持部と前記内部面改質部を相対的に移動させる移動機構と、を有し、前記移動機構によって前記内部面用レーザ光を前記第1の基板の内部において径方向外側から内側に移動させて、前記内部面改質層を形成する。
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