公开(公告)号：JP5987751B2

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：JP2013072884

申请日：2013-03-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 上山 昇太 ,  松下 道明 ,  飯田 成昭 ,  榎木田 卓 ,  木山 秀和 ,  梶原 英樹

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

公开(公告)号：JP2017112182A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：JP2015244491

申请日：2015-12-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 重冨 賢一 ,  七種 剛 ,  磧本 栄一 ,  福留 生将 ,  吉原 孝介 ,  榎木田 卓 ,  竹下 和宏 ,  梅木 和人

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67103 ,  H05B1/0233 ,  H05B2203/037

Abstract: 【課題】基板の面内においても基板間においても、均一性が良好な加熱処理を行うことができる技術を提供すること。 【解決手段】各々基板を載置台に載置して加熱する複数の加熱モジュールを備えた基板処理装置において、前記載置台に複数設けられ、互いに独立して発熱量が制御されるヒータと、前記複数のヒータの各々に対応する基板の被加熱部位について、予め決められた第1の時点から第2の時点に至るまでの間の積算熱量が1台の載置台の中で揃いかつ複数の加熱モジュールの間で揃うように制御信号を出力する制御部と、を備えるように装置を構成する。前記第1の時点は、ヒータの発熱量が安定している状態で載置台に基板が載置された後の基板の温度推移プロファイルにおいて、基板のプロセス温度に向かう昇温途中の時点であり、前記第2の時点は前記温度推移プロファイルにおいて基板が処理温度に達した後の時点である。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP6024433B2

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：JP2012269601

申请日：2012-12-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森川 勝洋 ,  須中 郁雄 ,  榎木田 卓

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/67778

公开(公告)号：JP5830140B2

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：JP2014151419

申请日：2014-07-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 榎木田 卓 ,  中原田 雅弘 ,  中島 清次 ,  宮田 亮 ,  中城 将人

IPC: B65G49/07 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

公开(公告)号：JP2019192814A

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：JP2018085058

申请日：2018-04-26

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 大久保 敬弘 ,  榎木田 卓 ,  古庄 智伸

IPC: B05C11/00 ,  B05C11/10 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】品質管理を容易にする。 【解決手段】ウェハにレジスト液を塗布して所定の処理を行うレジスト塗布装置32にレジスト液を供給するレジスト液供給装置200であって、レジスト液の供給先のレジスト塗布装置32は複数であり、レジスト液を貯留するレジスト液ボトルBに貯留されていたレジスト液を複数のレジスト塗布装置32それぞれに送出する、複数のレジスト塗布装置32で共通の送出部212と、送出部212を制御する制御部Uと、を有し、送出部212は、レジスト液を吸引して補充し、補充したレジスト液を送出する第1及び第2のポンプ212a、212bを有し、制御部Uは、第1及び第2のポンプ212a、212bのいずれかが複数のレジスト塗布装置32にレジスト液を送出することが可能な状態に常になるように、第1及び第2のポンプ212a、212bそれぞれの吸引タイミングを制御する。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP6079510B2

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：JP2013179983

申请日：2013-08-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 酒田 洋司 ,  渡邊 剛史 ,  榎木田 卓 ,  金川 耕三 ,  末松 貴茂 ,  白石 哲一 ,  本間 大輔 ,  脊古 裕司

IPC: H01L21/677 ,  B05D3/00 ,  B05D7/24 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5861738B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：JP2014099659

申请日：2014-05-13

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 松岡 伸明 ,  宮田 亮 ,  林 伸一 ,  榎木田 卓

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/677 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5752827B2

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：JP2014064147

申请日：2014-03-26

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 中原田 雅弘 ,  酒田 洋司 ,  宮田 亮 ,  林 伸一 ,  榎木田 卓 ,  中島 常長

IPC: H01L21/677 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5713081B2

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2013219228

申请日：2013-10-22

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 松岡 伸明 ,  宮田 亮 ,  林 伸一 ,  榎木田 卓

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JPWO2020017599A1

公开(公告)日：2021-08-02

申请号：JP2019028310

申请日：2019-07-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 田之上 隼斗 ,  烏野 崇 ,  大川 理 ,  榎木田 卓

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304

Abstract: 基板を処理する基板処理システムであって、第1の基板の表面と第2の基板の表面が接合された重合基板に対し、前記第1の基板の内部において面方向に中心部から少なくとも当該第1の基板の除去対象の周縁部に向けて延伸する内部面改質層を形成する第1の改質装置と、前記第1の基板の内部において、前記周縁部と中央部との境界に沿って厚み方向に延伸する周縁改質層を形成する第2の改質装置と、前記内部面改質層を基点に前記第1の基板の裏面側を分離する分離装置と、有する。