公开(公告)号：JP5751206B2

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：JP2012097066

申请日：2012-04-20

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 藤塚 徳夫 ,  尾崎 貴志 ,  島岡 敬一 ,  野々村 裕

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/10

CPC classification number: G02B26/0841

公开(公告)号：JP6191660B2

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：JP2015145787

申请日：2015-07-23

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 船橋 博文 ,  尾崎 貴志 ,  青柳 勲 ,  明石 照久 ,  大村 義輝 ,  島岡 敬一 ,  野々村 裕 ,  藤塚 徳夫 ,  藤吉 基弘 ,  畑 良幸 ,  村田 香苗 ,  成田 哲生 ,  冨田 一義

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L23/427

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/427 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP6064839B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2013174660

申请日：2013-08-26

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 尾崎 貴志 ,  村田 香苗 ,  藤塚 徳夫 ,  島岡 敬一

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08

公开(公告)号：JP2016181614A

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：JP2015061240

申请日：2015-03-24

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー

Inventor： 尾崎 貴志 ,  藤塚 徳夫 ,  太田 則一 ,  島岡 敬一 ,  丸山 ユミ ,  勝間田 卓 ,  青 建一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  B81B7/02 ,  H01L21/3205

Abstract: 【課題】半導体基板の表面から裏面まで貫通するトレンチの内部に耐エッチング性が低い材料の層が形成されている半導体装置において、エッチングガスが半導体基板の表面側から裏面側へ侵入することを防ぐことが可能な技術を提供する。 【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、第1半導体基板を備えている。その半導体装置では、前記第1半導体基板に、表面から裏面まで貫通するトレンチが形成されている。その半導体装置では、前記トレンチの内部に、特定のエッチングガスに対する耐エッチング性が低い第1材料からなる第1材料層が形成されている。その半導体装置では、前記第1材料層の内部に、前記エッチングガスに対する耐エッチング性が高い第2材料からなる第2材料層が埋め込まれている。 【選択図】図15

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够防止在半导体器件中从半导体衬底的表面侧到背面侧进入蚀刻气体的技术，其中在沟槽内形成具有低耐腐蚀性的材料层 其从表面向后表面刺穿半导体衬底。解决方案：本说明书中公开的半导体器件包括第一半导体衬底。 在半导体器件中，在第一半导体衬底中形成从表面贯穿到背面的沟槽。 在半导体器件中，在沟槽内形成由具有对特定蚀刻气体的耐腐蚀性低的第一材料构成的第一材料层。 在半导体基板中，在第一材料层的内部形成有由蚀刻气体的耐腐蚀性较高的第二材料构成的第二材料层。图15

公开(公告)号：JP2016039370A

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：JP2015145787

申请日：2015-07-23

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 船橋 博文 ,  尾崎 貴志 ,  青柳 勲 ,  明石 照久 ,  大村 義輝 ,  島岡 敬一 ,  野々村 裕 ,  藤塚 徳夫 ,  藤吉 基弘 ,  畑 良幸 ,  村田 香苗 ,  成田 哲生 ,  冨田 一義

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/427 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L2924/0002

Abstract: 【課題】伝熱性能が向上した支持層を有する半導体装置を提供すること。 【解決手段】半導体装置3は、支持層10及び半導体層20を備える。半導体層20は、支持層10上に設けられている。半導体層20には、横型のHFETを構成するチャネル層22及びバリア層24が形成されている。支持層10は、作動液14が封入される複数の直線流路12を含む。複数の直線流路12は、支持層10の厚み方向に沿って伸びる。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有提高的传热性能的支撑层的半导体器件。解决方案：半导体器件3包括支撑层10和半导体层20.半导体层20设置在支撑层10上。 形成构成水平型HFET的半导体层20，沟道层22和势垒层24。 支撑层10包括多个直流通道12，其中工作流体14被密封。 多个直流通道12沿着支撑层10的厚度方向延伸。选择的图示：图2