公开(公告)号：JP2020194919A

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：JP2019100520

申请日：2019-05-29

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 荒川 和樹 ,  星 真一 ,  陰 泳信 ,  畑 謙佑

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L27/098 ,  H01L21/337

摘要： 【課題】ゲート絶縁膜に電界集中が発生することを抑制する。 【解決手段】第1、第2半導体層2、3にて構成されるヘテロジャンクション構造を有し、第2半導体層3にリセス部7が形成されたチャネル形成層2、3と、リセス部7内に形成されたゲート絶縁膜8およびMOSゲート電極9を有するゲート構造部6と、第2半導体層3の上において、ゲート構造部6を挟んだ両側に配置されたソース電極10およびドレイン電極11と、第2半導体層3の上において、ゲート構造部6とドレイン電極11との間に配置された第3半導体層5と、第3半導体層5の上に形成されたp型の第4半導体層12と、第4半導体層12に接触させられたJG電極13とを備える。そして、ソース電極10とJG電極13は、電気的に接続され、第3半導体層5および第4半導体層12は、ゲート絶縁膜8のうちのドレイン電極11側の部分と接するようにする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6737808B2

公开(公告)日：2020-08-12

申请号：JP2017555847

申请日：2016-01-13

申请人： ハイペリオン セミコンダクターズ オサケユイチア

发明人： アルット ミカエル オーロラ

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8232

公开(公告)号：JP2019012830A

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：JP2018121470

申请日：2018-06-27

申请人： フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ

发明人： エアルバッヒャー トビアス ,  マトロク シュテファン

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/78 ,  H01L29/74 ,  H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L27/06

摘要： 【課題】少なくとも1つの電気スイッチング素子を含む能動放電回路により制御される回路装置を放電可能な電気回路装置を提供する。 【解決手段】回路装置は、回路装置内の電圧ピーク又は電流ピークを減衰させるためのキャパシタCと抵抗器Rとを備えたRCスナバ素子を含む。回路装置では、電気スイッチング素子Sが、RCスナバ素子に組み込まれ、RCスナバ素子のキャパシタと並列に接続されている。これにより、スペースとコストの観点から放電回路を経済的に設計することができる。放電回路は、RCスナバ素子のヒートシンクを用いるため、追加の放熱システムを必要としない。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6112491B2

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：JP2014512301

申请日：2013-01-25

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 稲田 裕 ,  森田 竜夫

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L27/095 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H02M1/08 ,  H03K17/687 ,  H03K17/00 ,  H01L21/338

CPC分类号： H02M3/156 ,  H01L25/072 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/538 ,  H01L29/1066 ,  H01L2924/0002 ,  H02M1/08 ,  H02M2001/0048 ,  H02M3/1588 ,  H02M7/003 ,  H03K17/16 ,  Y02B70/1466 ,  Y02B70/1491

公开(公告)号：JP2017050434A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015173428

申请日：2015-09-03

申请人： 株式会社東芝

发明人： 斉藤 泰伸 ,  仲 敏行 ,  佐藤 信幸

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4236

摘要： 【課題】電流コラプスを抑制できる半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置100は、基板10と、基板10上に設けられ、第1の領域12と、第1の領域12よりも膜厚の大きい第2の領域14と、を有する第1の窒化物半導体層20と、第1の領域12上に設けられたソース電極30と、第2の領域上14に設けられたドレイン電極50と、ソース電極30とドレイン電極50の間の第1の領域上12に設けられたゲート電極40と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2014155959A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015507990

申请日：2014-02-25

申请人： パナソニックIpマネジメント株式会社

发明人： 永井　秀一 ,  秀一 永井 ,  上田　大助 ,  大助 上田 ,  竜夫 森田 ,  竜夫 森田 ,  上田　哲三 ,  哲三 上田

IPC分类号： H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0738 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H03K17/0822

摘要： パワー半導体素子(100)は、第1ゲート電極と第1ドレイン電極と第1ソース電極とを有するメイントランジスタ(101)と、第2ゲート電極と第2ドレイン電極と第2ソース電極とを有するセンサトランジスタ(102)と、第3ゲート電極と第3ドレイン電極と第3ソース電極とを有するゲートスイッチトランジスタ(103)とを備え、第1ゲート電極と第2ゲート電極と第3ドレイン電極とが接続され、第1ドレイン電極と第2ドレイン電極とが接続され、第1ソース電極と第2ソース電極とが、センサ抵抗(104)を介して接続され、第1ソース電極と第3ソース電極とが接続され、第2ソース電極と第3ゲート電極とが、スイッチ抵抗(105)を介して接続され、メイントランジスタ(101)、センサトランジスタ(102)及びゲートスイッチトランジスタ(103)は、窒化物半導体で形成されている。

摘要翻译： 功率半导体器件（100）包括具有第一栅电极和所述第一漏电极和所述第一源电极和第二栅电极和第二漏电极和第二源极电极的主晶体管（101）的传感器 具有第三栅极电极和第三漏极电极和第三源电极，第一栅电极和第二栅电极和第三漏电极的晶体管（102）和栅极开关晶体管（103）被连接 是，所述第一漏电极和第二漏电极连接到所述第一源电极和第二源电极经由传感器电阻器（104），以及第一源电极和第三源电极连接 是连接，第二源电极和第三栅极电极通过开关电阻器（105），主晶体管（101）连接，所述传感器晶体管（102）和栅极开关晶体管（103）是氮化物半导体 它形成。

公开(公告)号：JP6074816B2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：JP2014169086

申请日：2014-08-22

申请人： アナログ デバイシス グローバル

发明人： エドワード ジョン コイン

IPC分类号： H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66901

公开(公告)号：JP2016219534A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2015100959

申请日：2015-05-18

申请人： 日産自動車株式会社

发明人： 倪 威 ,  林 哲也 ,  丸井 俊治

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/337

摘要： 【課題】素子の小型化及び高集積化を図りつつ、耐圧の低下、リーク電流の増大及び電流コラプス現象の発生を防止することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】第1導電型の第1主電極領域11と、第1主電極領域11の上面に対して垂直な側壁面を互いに対向して第1主電極領域11上に離間して配置された、第1主電極領域11と禁制帯幅の等しい半導体からなるキャリア走行領域3a,3bと、側壁面をヘテロ接合界面としてキャリア走行領域3a,3bに接したキャリア走行領域3a,3bよりも禁制帯幅の広い半導体からなるキャリア供給領域4a,4bと、キャリア走行領域3a,3bの頂部でキャリア供給領域4a,4bに接した第2主電極9と、キャリア供給領域4a,4bを介してキャリア走行領域3a,3bの電位を制御する制御電極8と、第1主電極領域11の裏面に配置された第1主電極12とを備える。 【選択図】図1

摘要翻译： A，而减小尺寸和设备的集成，降低击穿电压，以提供一种能够防止增加的发生和泄漏电流的电流崩塌现象的的半导体器件。 和第一导电类型的第一主电极区域11，间隔开的第一主电极区域11上，以便彼此面对的垂直侧壁与第一主电极区域11的上表面 是，载流子移动区域3a等于半导体禁带宽度和第一主电极区域11，3b和，侧壁表面作为异质结界面，在与图3B相接触的载流子渡区域3a，禁止比3b的载流子移动区域3a 由宽带宽半导体的载流子供给区4a和4b中，载流子移动区域3a，在图3b的顶部的载流子供给区域4a，在与4b相接触的第二主电极9，经由载流子供给区4a的载体，和4b 包括旅行区域3a，用于控制3b的电位控制电极8，和一个第一主电极12设置在第一主电极区域11的后表面上。 点域1

公开(公告)号：JP2016174140A

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：JP2015231705

申请日：2015-11-27

申请人： 株式会社東芝

发明人： ヨンシャン ヒ ,  シンユ ジャン

IPC分类号： H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L21/32133 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

摘要： 【課題】高電子移動度トランジスタ(HEMT)装置を提供する。 【解決手段】高電子移動度トランジスタ装置は、ヘテロ接合と、ゲート層308と、ゲート電極310と、を含む。ヘテロ接合は、チャネル層304の上に形成されたバリア層306を含み、バリア層306及びチャネル層304はIII−V族半導体材料を含む。ゲート層308は、バリア層306の上に形成されたP形III−V族半導体材料を含む。ゲート電極310は、ゲート層308の上に形成され、ゲート層308に電気的に結合されたインジウム錫酸化物(ITO)を含む。ゲート電極310及びゲート層308は、実質的に同じ長さを有する。 【選択図】図3

摘要翻译： 要解决的问题：提供高电子迁移率晶体管（HEMT）器件。解决方案：高电子迁移率晶体管包括异质结，栅极层308和栅电极310.异质结包括形成在沟道上的势垒层306 层304，并且阻挡层306和沟道层304包含III-V族半导体材料。 栅极层308包含在阻挡层306上形成的P型III-V族半导体材料。栅极310形成在栅极层308上，并且包含电连接到栅极层308的氧化铟锡（ITO）。 栅极电极310和栅极层308具有基本上相同的长度。选择的图示：图3

公开(公告)号：JP2016529710A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2016531818

申请日：2014-07-29

申请人： エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション ,  エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション

发明人： カオ，ジャンジュン ,  ビーチ，ロバート ,  リドウ，アレクサンダー ,  ナカタ，アラナ ,  ザオ，グアンギュアン ,  マ，ヤンピン ,  ストリットマター，ロバート ,  ルージ，マイケル エー デ ,  ルージ，マイケル エー デ ,  ゾウ，チュンフア ,  コルリ，セシャドリ ,  チャン リウ，ファン ,  チャン リウ，ファン ,  チアン，ミン−クン ,  カオ，ジアリ ,  ヤウハー，アグス

IPC分类号： H01L27/095 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/085 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 集積回路のための追加の構成要素を創出するための、ポリシリコン層を有するGaNトランジスタおよびそれを製造するための方法。GaNデバイスは、EPI構造およびEPI構造にわたって位置された絶縁材料を含む。さらに、1つまたは2つ以上のポリシリコン層が、絶縁材料中に位置され、前記ポリシリコン層は、1つまたは2つ以上のn型領域およびp型領域を有する。デバイスは、絶縁材料上に位置された金属インターコネクトおよびポリシリコン層のn型領域およびp型領域にソースおよびドレイン金属を接続する、絶縁材料層中に位置されたビアをさらに含む。

摘要翻译： 用于创建附加组件，氮化镓晶体管和用于制造具有用于集成电路的多晶硅层相同的方法。 GaN器件包括绝缘材料和定位在EPI结构和EPI结构。 另外，一个或一个以上的多晶硅层，被定位在绝缘材料，多晶硅层具有一个或多个n型区域和p型区域。 设备连接的源极和在绝缘材料上的n型区域和p型区域的位置的金属互连和多晶硅层漏金属，还包括：经由位于所述绝缘材料层。