公开(公告)号：JP2019067907A

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：JP2017191608

申请日：2017-09-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田 時宜 ,  四戸 孝 ,  柳生 慎悟 ,  井川 拓人

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368

Abstract: 【課題】表面平滑性に優れ、さらに、高温高周波特性等の半導体特性に優れた積層構造体およびその半導体装置を提供する。 【解決手段】ε型の酸化物半導体結晶を主成分とする第1の半導体膜と、酸化スズなどの正方晶の結晶構造を有する酸化物半導体結晶を主成分とする第2の半導体膜とが積層されている積層構造体を用いて、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)などの半導体装置のヘテロ接合構造に用いる。 【選択図】なし