液体洗浄剤
    28.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2012144438A1

    公开(公告)日:2014-07-28

    申请号:JP2013510977

    申请日:2012-04-13

    摘要: 本発明は、特定の脂肪酸アルキルエステルスルホネート(A)と、特定の脂肪酸アルキルエステルアルコキシレート(B)と、炭素数2〜4のアルコール及び一般式(c−1)で表される化合物より選択される少なくとも一種の有機溶剤(C)とを含有し、(A)成分と(B)成分との合計が40質量%以上であり、(A)成分/(B)成分(質量比)=5/95〜60/40であり、[(A)成分+(B)成分]/(C)成分で表される質量比が23以下である液体洗浄剤に関する。式(c−1)中、R6は炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基であり、R7は炭素数2〜4のアルキレン基である。nはOR7の平均繰返し数を示し、1〜5の数である。本発明によれば、液流動性と液安定性が良好で、種々の汚れに対して高い洗浄力を有し、特に、臭い除去性と被洗物に直接塗布して汚れを除去するのに必要な塗布洗浄力とに優れた液体洗浄剤を提供できる。[化1]

    Semiconductor device cleaning liquid and method for cleaning semiconductor device substrate
    29.
    发明专利
    Semiconductor device cleaning liquid and method for cleaning semiconductor device substrate 有权
    半导体器件清洗液和清洁半导体器件基片的方法

    公开(公告)号:JP2013229570A

    公开(公告)日:2013-11-07

    申请号:JP2013026858

    申请日:2013-02-14

    IPC分类号: H01L21/304

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning liquid and cleaning method, used in a cleaning process after a CMP process for a semiconductor device substrate, specifically a semiconductor device substrate having metal wiring on a surface thereof, and capable of removing fine particles derived from the CMP process and suppressing readhesion of the fine particles on a substrate surface, without causing corrosion of metal such as Cu.SOLUTION: A cleaning liquid for a semiconductor device contains the following components (1)-(5): (1) inorganic alkali; (2) a chelating agent; (3) an anionic surfactant selected from sulfonic acid type and sulfuric acid type; (4) an amine oxide-type surfactant; and (5) water.

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种用于半导体器件基板的CMP工艺之后的清洁工艺中的清洗液和清洁方法,具体地说,在其表面上具有金属布线的半导体器件基板,并且能够除去由 CMP处理,抑制细小颗粒在基片表面上的再粘附,而不会引起金属如Cu的腐蚀。溶解:半导体器件用清洗液含有以下组分(1) - (5):(1)无机碱 ; (2)螯合剂; (3)选自磺酸型和硫酸型的阴离子表面活性剂; (4)氧化胺型表面活性剂; 和(5)水。