電子半導体デバイスおよびその電子半導体デバイスの製造方法および化合物

    公开(公告)号:JP2020510306A

    公开(公告)日:2020-04-02

    申请号:JP2019545368

    申请日:2018-02-16

    摘要: 本発明は、 第1の電極と第2の電極との間に少なくとも1つの第1の半導体層を含み、 前記第1の半導体層が、 (i)共有結合原子からなる少なくとも1つの第1の正孔輸送マトリックス化合物、および (ii)ホウ酸金属塩錯体から選択される少なくとも1つの電気的p−ドーパントであって、前記ホウ酸金属塩錯体は、少なくとも1つの金属カチオンおよび少なくとも1つの陰イオン配位子からなり、前記陰イオン配位子は、少なくとも1つのホウ素原子を含む少なくとも6つの共有結合原子からなる、電気的p−ドーパント、 を含み、 前記第1の半導体層が、正孔注入層、電荷発生層の正孔注入部、または正孔輸送層である電子デバイス、当該電子デバイスの製造方法およびそれぞれのホウ酸金属化合物に関する。