公开(公告)号：JP6844482B2

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：JP2017184792

申请日：2017-09-26

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  樹神 雅人 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP6610340B2

公开(公告)日：2019-11-27

申请号：JP2016041430

申请日：2016-03-03

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 菊田 大悟 ,  伊藤 健治 ,  成田 哲生 ,  森 朋彦

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/41 ,  H01L29/861

公开(公告)号：JP2020025054A

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：JP2018149720

申请日：2018-08-08

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 富田 英幹 ,  森 朋彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】ドリフト領域とJFET領域とボディ領域の3つの領域が接する部分での絶縁破壊を抑制する技術が必要とされている。 【解決手段】半導体装置は、半導体層と、半導体層の一方の主面上に設けられているソース電極と、半導体層の他方の主面上に設けられているドレイン電極と、絶縁ゲート部と、を備えており、半導体層は、第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域上に設けられている第1導電型のJFET領域と、ドリフト領域上に設けられており、JFET領域に隣接している第2導電型のボディ領域と、ボディ領域によってJFET領域から隔てられている第1導電型のソース領域と、を有しており、絶縁ゲート部は、JFET領域とソース領域を隔てている部分のボディ領域に対向しており、半導体層内には真空の空隙が形成されており、ドリフト領域とJFET領域とボディ領域が空隙に露出する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020047822A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2018175866

申请日：2018-09-20

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 池山 和希 ,  富田 英幹 ,  森 朋彦 ,  副島 成雅 ,  山寺 秀哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 【課題】耐圧低下が抑制された窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域と第2導電型のボディ領域が積層している窒化物半導体層の一方の主面から前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内壁面を被覆するように結晶成長抑制膜を形成する工程と、前記トレンチの側面のうちの少なくとも下側部分に前記結晶成長抑制膜の一部が残存するように、前記結晶成長抑制膜を除去する工程と、前記結晶成長抑制膜の一部が残存した状態で、前記トレンチの底面に露出する前記ドリフト領域の表面から窒化物半導体の第1導電型のJFET領域を結晶成長させる工程と、を備えており、前記トレンチの底面に露出する前記ドリフト領域の表面の結晶面がc面である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020047823A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2018175871

申请日：2018-09-20

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 長谷川 聖也 ,  池山 和希 ,  森 朋彦 ,  副島 成雅 ,  山寺 秀哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】JFET領域を備える窒化物半導体装置において、オン抵抗と耐圧の間に存在するトレードオフ関係を改善する技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域と第2導電型のボディ領域が積層している窒化物半導体層の一方の主面から前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内に空洞が形成される条件で、前記トレンチ内に窒化物半導体の第1導電型のJFET領域を結晶成長させる工程と、を備える。 【選択図】図1