利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

7758 records (took 0.032 seconds)

    半導体装置
    1.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021192413A

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：JP2020098785

    申请日：2020-06-05

    Applicant: 株式会社FLOSFIA

    Inventor： 大島 孝仁 ,  樋口 安史

    IPC: H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

    Abstract: 【課題】整流接合界面の端部での電界集中を抑制した構造を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明の実施態様の一つとして、半導体装置が、第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、前記第1面と前記第2面との間に位置する側面と、前記側面の少なくとも一部に設けられた傾斜面と、前記傾斜面に隣接する位置にある第1領域と、前記第1領域よりも前記傾斜面から平面視で離れた位置にある第2領域とを含む半導体膜で、前記第1領域の転位密度が前記第2領域の転位密度よりも低く、さらに、整流接合界面を有する半導体膜を有する。 【選択図】なし

    半導体装置とその製造方法
    3.
    发明专利
    半導体装置とその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2021038699A1

    公开(公告)日：2021-11-25

    申请号：JP2019033386

    申请日：2019-08-26

    Applicant: 株式会社デンソー

    Inventor： 桑野 聡 ,  西脇 剛 ,  古村 雄太

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

    Abstract: 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面に設けられているトレンチゲート部と、前記半導体基板の前記一方の主面の上方を被覆している表面電極と、前記トレンチゲート部を前記表面電極から絶縁している層間絶縁膜と、を備えており、前記半導体基板は、第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上方に設けられている第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域の少なくとも一部の下方に設けられている第1導電型のバリア領域と、前記半導体基板の前記一方の主面から前記バリア領域まで伸びており、前記表面電極にショットキー接触する第1導電型のピラー領域と、を有しており、前記表面電極は、シリコンを含む合金であり、前記層間絶縁膜は、頂面と側面の成す角が鋭角である。

    タンデムダイオード、電気回路及び電気装置
    4.
    发明专利
    タンデムダイオード、電気回路及び電気装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020137931A1

    公开(公告)日：2021-11-18

    申请号：JP2019050246

    申请日：2019-12-23

    Applicant: 京セラ株式会社

    Inventor： 稲田 正樹

    IPC: H01L21/329 ,  H01L29/88 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/872

    Abstract: タンデムダイオードTDは、電流に対して逆方向に接続された第1ショットキーバリアダイオードD1と、第1ショットキーバリアダイオードに直列接続され、電流に対して逆方向に接続された第2ショットキーバリアダイオードD2と、を有し、第1ショットキーバリアダイオード及び第2ショットキーバリアダイオードのそれぞれは、ショットキー接合SBを形成する金属層1と半導体層2の間の一部の領域に、絶縁体層3を有し、逆方向のトンネル電流が流れる構成を有する。

    SiC積層体およびその製造方法ならびに半導体装置
    5.
    发明专利
    SiC積層体およびその製造方法ならびに半導体装置 有权

    公开(公告)号：JP2021178762A

    公开(公告)日：2021-11-18

    申请号：JP2020085840

    申请日：2020-05-15

    Applicant: 株式会社CUSIC

    Inventor： 長澤 弘幸

    IPC: C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  C30B29/36

    Abstract: 【課題】3C−SiCと六方晶SiCの積層構造を用いた半導体装置において、ヘテロ界面におけるキャリアの捕獲や散乱を抑制する構造とその製造方法を提供し、半導体素子の特性を向上すること。 【解決手段】六方晶SiC(1)表面に結晶格子の最密面(CPP)と平行なシード面(1p)と最密面から傾斜した傾斜面(1i)を設け、シード面上に3C−SiCの2次元核(2e)を生成すると同時に、傾斜面においてステップ制御エピタキシーを行い、六方晶SiC層と3C−SiC層が積層したSiC積層体を製造する。SiC積層体のすべての界面を整合ヘテロ界面(3)とし、3C−SiC表面と六方晶SiC表面を区分して半導体素子の配置を自在なものとして高性能な半導体装置を得る。 【選択図】図2

    窒化物半導体装置
    7.
    发明专利
    窒化物半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020137303A1

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2019046003

    申请日：2019-11-25

    Applicant: パナソニック株式会社

    Inventor： 柴田 大輔 ,  田村 聡之 ,  小川 雅弘

    IPC: H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/337

    Abstract: 窒化物半導体装置(1)は、基板(12)と、n型のドリフト層(14)と、p型のブロック層(16)と、ブロック層(16)を貫通し、ドリフト層(14)にまで達するゲート開口部(20)と、ゲート開口部(20)の内面に沿って設けられた電子走行層(22)及び電子供給層(24)と、ゲート開口部(20)を覆うように電子供給層(24)の上方に設けられたゲート電極(30)と、電子供給層(24)及び電子走行層(22)を貫通し、ブロック層(16)にまで達するソース開口部(26)と、ソース開口部(26)を覆うように設けられ、電子供給層(24)、電子走行層(22)及びブロック層(16)に接続されたソース電極(28)と、基板(12)の、ブロック層(16)とは反対側に設けられたドレイン電極(32)とを備え、ゲート電極(30)の底面(30a)は、ブロック層(16)の底面(16a)よりもドレイン電極(32)に近い。

    半導体装置、及び電力変換装置
    9.
    发明专利
    半導体装置、及び電力変換装置 有权

    公开(公告)号：JP6962511B1

    公开(公告)日：2021-11-05

    申请号：JP2021542538

    申请日：2020-05-29

    Applicant: 三菱電機株式会社

    Inventor： 川原 洸太朗 ,  日野 史郎

    IPC: H01L29/12 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78

    Abstract: 本開示に係る半導体装置は、ソース電極(9)とは別体に設けられたセンスソース電極(19)と、センスソース電極(19)とドリフト層(2)との間に設けられ、センスウェル領域(13)またはダミーセンスウェル領域(23)とドリフト層(2)とから構成されるpnダイオードの動作電圧よりも立ち上がり電圧が低く、センスソース電極(19)からドレイン電極(10)に向けて流れる電流を通電可能なダイオード(25)と、を備え、ダミーセンスウェル領域(23)とダイオード(25)とが配置されるダミーセンス領域(62)内において、ダイオード(25)は、ダミーセンスウェル領域(23)がゲート絶縁膜(26)を介してゲート電極(7)に対向する領域である対向領域(FA)と混在するように設けられる。

Patent Agency Ranking