公开(公告)号：JP2012529175A

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：JP2012513954

申请日：2010-05-05

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： アントノフ，ヴァシル ,  カールソン，クリス ,  バート，ヴィシュワナート

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1272 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33

Abstract: いくつかの実施形態はキャパシタを成形する方法を含む。 金属酸化物混合体は第１のキャパシタ電極を覆って形成されてよい。 その金属酸化物混合体は第１の成分に相対する第２の成分の連続的な濃度勾配を成してよい。 その連続的な濃度勾配は第１のキャパシタ電極からの距離が増加すると第２の成分の濃度が減少することに対応してよい。 第１の成分は酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、およびそれらの混合物からなるグループから選択されてよい。 そして、第２の成分は酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ストロンチウム、およびそれらの混合物からなるグループから選択されてよい。 第２のキャパシタ電極は第１のキャパシタ電極を覆って形成される。 いくつかの実施形態は上述の第１の成分に相対する上述の第２の成分の連続的な濃度勾配を有する少なくとも一つの金属酸化物混合体を包含するキャパシタを含む。

公开(公告)号：JPWO2005059928A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：JP2005516371

申请日：2004-12-17

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 中村　和敬 ,  和敬 中村

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/112 ,  H01C7/18 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01C7/112 ,  H01C7/18 ,  H01G4/1272

Abstract: 積層工法および一体焼成工法を用いて製造することが可能で、かつ簡便で十分な絶縁性を有する、小型、高性能で、信頼性の高い半導体セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。内部に、ZnOを主成分とする半導体セラミック体22と、ZnOと電位障壁を形成する金属酸化化合物体23が面で接合された接合体(セラミック素子)24と、接合体24の接合面を導電経路が通過するような態様で配設された内部電極25a,25bとを備え、SrおよびWを含む酸化物、ZnおよびTiを含む酸化物のうち少なくとも一方を含有する絶縁体21を形成し、その表面に内部電極25a,25bと導通するように外部電極26a,26bを形成する。

公开(公告)号：JPS59144116A

公开(公告)日：1984-08-18

申请号：JP1945983

申请日：1983-02-07

Applicant: Murata Manufacturing Co

Inventor： BANDAI HARUFUMI ,  IWAI KIYOSHI ,  NAITOU YASUYUKI

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1272