公开(公告)号：JP2021136393A

公开(公告)日：2021-09-13

申请号：JP2020033662

申请日：2020-02-28

Applicant: 株式会社東京精密

Inventor： 津留 太良

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 【課題】リアルタイムな加工中(表面改質中)も含め、表面状態の診断、修復効果確認を行うことで、高品質のシリコンウェハを提供する。 【解決手段】レーザ熱処理を用いたシリコンウエハ1の表面改質におけるシリコンウエハ1の表面状態診断方法であって、シリコンウエハ1表面の反射率又は吸収率の測定、及び電気物性を測定する。また、反射率又は吸収率の測定は、波長が532、あるいは785nmのレーザで行う。そして、電気物性は、シリコンウエハ1の表面処理部に近接して電極4を配置し、シリコンウエハと1電極間4で形成される静電容量を測定する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021136382A

公开(公告)日：2021-09-13

申请号：JP2020033313

申请日：2020-02-28

Applicant: 富士紡ホールディングス株式会社

Inventor： 小池 堅一 ,  鈴木 基文 ,  岡田 真治

IPC: B32B5/18 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

Abstract: 【課題】高温条件下で使用することを想定し、アウトガスの発生を防止しつつプローブを洗浄できるクリーニングシートを提供する。 【解決手段】 複数の気泡を有する基材層と、 前記基材層の一面上に配され、かつ、被洗浄物を洗浄するための洗浄面を有し、かつ、イミド樹脂及びエポキシ樹脂の少なくとも一方を含むコーティング層と、 前記基材層の他面上に配され、かつ、イミド樹脂及びエポキシ樹脂の少なくとも一方を含む接着層と、 を含み、 前記コーティング層を熱重量示差熱分析に供し、40℃から210℃へ15℃/minで昇温して210℃で10分保持し、40℃に降温した際の質量を基準とし、さらに40℃から210℃へ15℃/minで昇温して210℃で10分保持した際の質量より算出される重量減少率R1が、0.10質量%以下である、クリーニングシート。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2021135181A

公开(公告)日：2021-09-13

申请号：JP2020031896

申请日：2020-02-27

Applicant: キオクシア株式会社

Inventor： 郭 彦廷 ,  橋本 隆希

IPC: G01B11/00 ,  H01L21/66 ,  G01B11/26

Abstract: 【課題】ウエハ上の非対称構造を短期間に計測可能な計測装置及び方法を提供する。 【解決手段】測定対象のウエハWが載置可能な上面を有するステージ106と、上面を所定の光で照射可能な光源102と、光源により所定の光が照射されるウエハを撮像可能な光検出部108と、光源102とステージ106の間、又はステージ106と光検出部108の間に設けられる偏光素子104と、制御部12とを備える計測装置が提供される。制御部12は、ストークス・ベクトルの第1の要素及び第2の要素がそれぞれ等しい2種類の偏光光であって、ウエハから反射された当該2種類の偏光光に基づいて光検出部108により得られた2つの信号の差分値を求め、これに基づいてウエハW内の非対称構造を計測する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021132159A

公开(公告)日：2021-09-09

申请号：JP2020027461

申请日：2020-02-20

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 小林 真二

IPC: G01B15/00 ,  G06T7/00 ,  H01L21/66

Abstract: 【課題】パターンが形成された基板を荷電粒子線で走査した結果に基づいて、パターンのピッチ以外の他の特徴量の測定を正確に行う。 【解決手段】基板に形成された、周期的な凹凸を有するパターンの特徴量を測定する方法であって、(A)前記基板に対する荷電粒子線の走査の結果に基づいて、前記パターンのピッチを測定する工程と、(B)前記走査の結果に基づいて前記パターンのピッチ以外の他の特徴量を測定し、該測定結果を、前記(A)工程での前記ピッチの測定結果と前記ピッチの設計値との比に基づいて、補正する工程と、を有する。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2021132097A

公开(公告)日：2021-09-09

申请号：JP2020026160

申请日：2020-02-19

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 松田 梨沙子 ,  廣瀬 潤

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/66 ,  C23C16/52 ,  G01F1/684 ,  H01L21/3065

Abstract: 【課題】基板の表面におけるガスの流れを適切に測定する。 【解決手段】基板処理方法は、(a)チャンバの内部に設けられた載置台に、表面に複数のフローセンサを有する基板を載置する工程と、(b)前記チャンバの内部に処理ガスを供給する工程と、(c)前記複数のフローセンサを用いて前記基板の表面における前記処理ガスの流れの大きさ及び向きを測定する工程と、を含む。基板処理装置は、ガス供給口及びガス排出口を有するチャンバと、制御部と、を備える。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2021129125A

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：JP2021097169

申请日：2021-06-10

Applicant: 株式会社東京精密

Inventor： 石本 隆 ,  山口 晃 ,  土田 裕士

IPC: H01L21/66

Abstract: 【課題】半導体デバイスの電気的特性の検査を行う際に、ウエハ表面付近での放電の発生を防止し、かつ、検査時の半導体デバイスの温度の低下を防止することが可能なプローバを提供する。 【解決手段】プローバは、半導体デバイスの電気的特性の検査を行う際に、囲繞部材70により囲まれたプローブ25の周囲にガスを供給する。ウエハチャックには、複数の領域ごとに配置された複数の温度センサと、加熱機構とが設けられる。制御装置100は、検査対象の半導体デバイスと複数の温度センサの位置関係に基づいて、複数の温度センサの中から温度制御に用いる温度センサを選択し、選択した温度センサによって測定された温度の測定値に基づいて加熱機構を制御してウエハチャックの温度制御を行う。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021129043A

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：JP2020023538

申请日：2020-02-14

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 岡野 英明 ,  森野 剛志 ,  本宮 佳典

IPC: G01N23/2251 ,  G01N21/956 ,  G06T7/00 ,  G06T1/00 ,  H01L21/66

Abstract: 【課題】回路パターンが疎な領域を含む場合にも欠陥の誤検出を抑制する。 【解決手段】実施形態によれば、検査装置は、第1画像に対応する第2画像を生成する画像生成装置と、第1画像に対する第2画像の欠陥を検出する画像欠陥検出装置と、を備える。第1画像及び第2画像の各々は、複数の画素を含む複数の部分領域を含む。画像欠陥検出装置は、第1画像と第2画像との輝度差に基づいて、第1画像と第2画像との間の位置差を示す第1値を複数の部分領域毎に推定し、第1値の信頼度を示す第2値を複数の部分領域毎に推定し、各々が複数の部分領域毎に推定された第1値及び第2値に基づいて、第1画像と第2画像との間の位置差を全ての画素毎に推定する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2021128954A

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：JP2020020831

申请日：2020-02-10

Applicant: 株式会社アドバンテスト ,  株式会社東栄科学産業

Inventor： 渡辺 直良 ,  佐藤 茂行 ,  内海 良一

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/07 ,  G01R35/00 ,  H01L43/00 ,  H01L21/66

Abstract: 【課題】ウェハ上のデバイスに印加される磁場を測定可能な試験装置を提供する。 【解決手段】試験装置100は、磁気抵抗メモリもしくは磁気センサを含む被試験デバイス12が形成された被試験ウェハ10を試験する。ステージ130には、試験工程において被試験ウェハ10が載置される。磁場印加装置140は、試験工程において被試験ウェハ10に磁場B EX を印加する。試験用プローブカード160は、試験工程において使用され。診断用ウェハ170は、複数の磁気検出ユニット172が形成されており、試験装置100の診断工程において、被試験ウェハ10に替えてステージ130に載置され、各磁気検出ユニット172により磁場印加装置140が発生する磁場B EX を測定可能である。診断用プローブカード180は、診断工程において試験用プローブカード160に替えて使用される。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021124933A

公开(公告)日：2021-08-30

申请号：JP2020017613

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 大森 健史 ,  奥山 裕

IPC: G06T7/60 ,  H01L21/66 ,  G06T7/00

Abstract: 【課題】学習モデルの学習用データベースを短期間で構築するシステムを提供する。 【解決手段】システムは、構造画像の画像処理により構造画像を実画像に類似させた画像を生成する1以上のプロセッサを含み、第1の構造画像1000A11(またはA1000A12)と、第1の構造画像と異なる第2の構造画像1000A21(または1000A22)を取得し、第1の構造画像と第2の構造画像との間の中間構造を示す複数の中間構造画像を作成し、複数の中間構造画像それぞれの画像処理により、複数の中間構造画像それぞれを実画像に類似させ画像1000B11(または1000B12)を生成する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021521654A

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：JP2020569886

申请日：2019-06-14

Applicant: ノヴァ メジャリング インストルメンツ リミテッド ,  NOVA MEASURING INSTRUMENTS LTD.

Inventor： ロススタイン・エイタン ,  ルビノヴィッチ・イリヤ ,  タル・ノアム ,  ブリンゴルッツ・バラク ,  キム・ヨンハ ,  ブロイトマン・アリエル ,  コーヘン・オデッド ,  ラビノヴィッチ・エイロン ,  ザハロニ・タル ,  ヨゲヴ・シェイ ,  カンデル・ダニエル

IPC: G03F7/20 ,  G01B11/06 ,  H01L21/66

Abstract: 半導体計測システムは,第1の測定プロトコルを用いて第1の半導体ウェーハ・ターゲット上のベースライン散乱測定スペクトルを収集し,スペクトル変動性のさまざまな所定ソースについて,第2の半導体ウェーハ・ターゲット上の,上記スペクトル変動性を具体化する散乱測定スペクトルの変動セットを収集するように構成されるスペクトル取得ツールと,第2の測定プロトコルを用いて上記第1の半導体ウェーハ・ターゲットのパラメータ値を収集する参照計測ツールと,スペクトルに基づいて製造半導体ウェーハ・ターゲットの値を予測し,かつスペクトル変動項を組み込んだ関連損失関数を最小化するための機械学習を用いる予測モデルをトレーニングするトレーニング・ユニットを備えている。