光半導体の製造方法
    54.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018023914A

    公开(公告)日:2018-02-15

    申请号:JP2016155732

    申请日:2016-08-08

    IPC分类号: B01J27/24 B01J35/02 B01J37/34

    摘要: 【課題】光電流値が向上した光半導体を製造することが可能な、光半導体の製造方法を提供する。 【解決手段】本開示の光半導体の製造方法は、基材201上に、結晶構造中に窒素と1種類以上の遷移金属とを含む化合物を含む光半導体(例えば、光半導体シード層202、光半導体本成長層203及び表面酸素豊富層)を形成する工程と、大気圧よりも低い圧力雰囲気下においてVHF帯域の周波数で発生させた、窒素を含むガスのプラズマによる処理を前記光半導体の表面に施す工程と、を含む。 【選択図】図3

    水素化触媒及びその製造方法

    公开(公告)号:JP2017527440A

    公开(公告)日:2017-09-21

    申请号:JP2017530381

    申请日:2015-04-17

    IPC分类号: B01J23/89 B01J37/16 B01J37/34

    摘要: 本発明は水素化触媒を提供する。該水素化触媒は、ナノニッケル担体と貴金属ナノ粒子とを含み、該貴金属ナノ粒子は、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム又はその混合物からなる群から選択され、且つ該ナノニッケル担体の表面に結合する。前記水素化触媒の製造方法は、ニッケルイオン溶液を調製するステップ(1)と、該ニッケルイオン水溶液に第1還元剤を加え、反応溶液を形成するステップ(2)と、該反応溶液に磁場を印加し、第1所定時間の反応を行うことにより、ナノ担体を得るステップ(3)と、貴金属イオン水溶液を調製するステップ(4)と、ナノニッケル担体を該貴金属イオン水溶液に入れ、該ナノニッケル担体の表面の少なくとも一部に貴金属ナノ粒子を結合させるステップ(5)とを含む。